2.刻蝕機(jī)
根據(jù)Gartner數(shù)據(jù),2020年全球刻蝕設(shè)備市場規(guī)模123.3億美元,預(yù)計(jì)到2024年市場規(guī)模151.8億美元,2019-2024年年均復(fù)合增長率為7%。
數(shù)據(jù)來源:Gartner、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
3.薄膜沉積設(shè)備
低壓化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(LPCVD)把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入LPCVD設(shè)備的反應(yīng)室,在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜;等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD)在沉積室利用輝光放電,使其電離后在襯底上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),沉積半導(dǎo)體薄膜材料。數(shù)據(jù)顯示,預(yù)計(jì)2021年全球薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)??蛇_(dá)187億美元。
數(shù)據(jù)來源:AMAT、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
4.半導(dǎo)體檢測設(shè)備
半導(dǎo)體檢測設(shè)備分為前道量測和后道測試。前道量檢測主要用于晶圓加工環(huán)節(jié),目的是檢查每一步制造工藝后晶圓產(chǎn)品的加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)的要求或者存在影響良率的缺陷,屬于物理性的檢測;半導(dǎo)體后道測試設(shè)備主要是用在晶圓加工之后、封裝測試環(huán)節(jié)內(nèi),目的是檢查芯片的性能是否符合要求,屬于電性能的檢測。
數(shù)據(jù)顯示,我國半導(dǎo)體檢測設(shè)備市場規(guī)模由2016年74億元增至2020年185億元,年均復(fù)合增長率為25.74%。中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測,2021年我國半導(dǎo)體檢測設(shè)備市場規(guī)模可達(dá)212億元。
數(shù)據(jù)來源:中商產(chǎn)業(yè)研究院整理