二、集成電路行業(yè)未來發(fā)展趨勢

（一）元器件尺寸不斷縮小

隨著當(dāng)代技術(shù)水平的不斷提升以及各種新型材料的研發(fā)，我國在集成電路方面的芯片集成度不斷提升，主要表現(xiàn)為其特征尺寸不斷縮小，同時還能實現(xiàn)多種功能的兼容。尺寸的不斷縮小打破了元器件的物理極限，各種新型集成電路技術(shù)得到了有效研發(fā)和應(yīng)用，而且正在不斷朝著納米級別方向發(fā)展。

另外由于集成電路技術(shù)及其設(shè)計水平的不斷提高，使得集成電路的應(yīng)用范圍更廣，能夠兼容更多的技術(shù)，無形之中也提高了整個集成電路的存儲量，數(shù)據(jù)處理能力和傳輸速率都有一定程度的提升。

（二）新材料、新結(jié)構(gòu)、新器件不斷涌現(xiàn)

目前比較常見的集成電路主要是以Si/CMOS為應(yīng)用研發(fā)對象，但隨著需求的不斷提升，各種新型材料及元器件不斷被研發(fā)和應(yīng)用。比如現(xiàn)階段研發(fā)的絕緣體元器件SOI，Ge/Si異質(zhì)結(jié)和應(yīng)變Si器件及鐵電隨機存取存儲器（FeRAM）等。由于SOI具備無門鎖、高速、低耗、抗輻射等比較優(yōu)異的性能，使其在民用和國防領(lǐng)域都有較廣泛的應(yīng)用，同時也是高性能電路研發(fā)的主要應(yīng)用手段之一。Ge/Si異質(zhì)結(jié)器件因為具備高速傳輸性，使其在射頻領(lǐng)域有著較高的性價比。FeRAM由于其處理速度快、低功耗、非揮發(fā)、長壽命、耐輻射等特點使其被廣泛應(yīng)用。

（三）新的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)增長點不斷形成

近年來，集成電路的不斷發(fā)展，和其他行業(yè)不斷結(jié)合并產(chǎn)生緊密的聯(lián)系，打破了原有保守的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)類型，推動了集成電路的多方面發(fā)展。新的技術(shù)層出不窮，不斷為行業(yè)注入新的活力。

更多資料請參考中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《中國集成電路行業(yè)市場前景及投資機會研究報告》，同時中商產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)情報、產(chǎn)業(yè)研究報告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、十四五規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商引資等服務(wù)。