在今天的CES2017展會上，高通正式發(fā)布了新一代驍龍835處理器，采用Kryo280八核心架構(gòu)，采用目前最先進(jìn)的10nmFinFET工藝制造，功耗更低。那么，驍龍835和821有什么區(qū)別？有哪些新特性呢？下面小編就來簡單介紹下，一文秒懂。

高通驍龍835

先來看看高通驍龍835新特性：

QuickCharge4.0快充

驍龍835搭載了更高規(guī)格的快充技術(shù)，兼容USBType-C，較上一代QC3.0快20%，充電的安全性進(jìn)一步加強(qiáng)，充電5分鐘，可以通話5小時。

10nm工藝、功耗降低25%

驍龍835處理器采用了目前最先進(jìn)的10nm工藝，整個芯片封裝尺寸減小35%，功耗相比驍龍821降低了25%，帶來了功耗，并且有利于減少發(fā)熱與提升續(xù)航。

性能提升

驍龍835處理器采用了高通自助的Kryo280架構(gòu)，采用4大核+4小核的設(shè)計(jì)，大小核最高主頻分別為2.45GHz和1.9GHz。并集成了Adreno540GPU，支持4K顯示分辨率;支持4K屏、UFS2.1閃存標(biāo)準(zhǔn)，LPDDR4x四通道內(nèi)存、VR、雙攝支持等，性能提升明顯。

其它

驍龍835還支持更高規(guī)格的X16LTE調(diào)制解調(diào)器，并且支持最新的藍(lán)牙5技術(shù)。

驍龍835和821有什么區(qū)別？

高通驍龍835作為821的升級版，區(qū)別主要在于以下幾個方面：

1、性能提升

驍龍835再次回到了八核心設(shè)計(jì)，內(nèi)置的GPU也更強(qiáng)，綜合性能相比四核的驍龍821有了明顯的提升。

2、功耗更低

驍龍821為14nm工藝，而驍龍835提升到了更先進(jìn)的10nm工藝，功耗降低了25%，提升明顯。這意味著，驍龍835在發(fā)熱控制與續(xù)航方面，會更給力。

3、快充升級

驍龍821配備的是QC3.0快充技術(shù)，號稱充電5分鐘，通話2小時。而驍龍835則配備了更先進(jìn)的QC4.0快充技術(shù)，充電速度更快，綜合快速表現(xiàn)提升了20%，號稱充電5分鐘，通話5小時。

4、其它區(qū)別

驍龍835相比821其它的區(qū)別在于基帶和藍(lán)牙支持等，驍龍835作為升級版，支持更高規(guī)格的基帶和藍(lán)牙5.0，另外對雙攝像頭支持也更好，并支持4K屏、8GB大內(nèi)存等。

編后語：

總的來說，驍龍835相比驍龍821，不僅性能更強(qiáng)，而且功耗更低，續(xù)航更給力，另外還有更高規(guī)格的快充、基帶、雙攝、藍(lán)牙5.0支持，綜合表現(xiàn)提升還是非常明顯的，它無疑將是今年安卓旗艦機(jī)最火的處理器。