2.碳化硅襯底材料
碳化硅襯底是一種由碳和硅兩種元素組成的化合物半導體單晶材料,具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高、電子飽和漂移速率高等特點。根據下游應用領域不同,可分類為導電型和半絕緣型。
在半絕緣型碳化硅襯底方面,全球半絕緣型碳化硅襯底市場集中度較高,美國的Wolfspeed、II-IV以及國內山東天岳三家獨大,占比合計高達98%。
數(shù)據來源:Yole,Wolfspeed,勢銀(TrendBank)、中商產業(yè)研究院整理
在導電型碳化硅襯底方面,全球導電型碳化硅襯底材料中美國的Wolfspeed一家獨大,市占率高達62%,II-VI、SiCrystal、SKSiltron、天科合達等企業(yè)瓜分剩余市場。
數(shù)據來源:Yole,Wolfspeed,勢銀(TrendBank)、中商產業(yè)研究院整理