氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，有更高的禁帶寬度，是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系，下游應(yīng)用包括微博射頻器件(通信基站等)，電力電子器件(電源等)，光電器件(LED照明、激光等)。
光電器件是氮化鎵的主要應(yīng)用方向，2020年占GaN整體市場規(guī)模的68%，市場規(guī)模達(dá)到224.7億元左右。
本公司出品的研究報告首先介紹了中國氮化鎵(GaN)行業(yè)市場發(fā)展環(huán)境、氮化鎵(GaN)行業(yè)整體運行態(tài)勢等，接著分析了中國氮化鎵(GaN)行業(yè)市場運行的現(xiàn)狀，然后介紹了氮化鎵(GaN)行業(yè)市場競爭格局。隨后，報告對氮化鎵(GaN)行業(yè)做了重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析，最后分析了中國氮化鎵(GaN)行業(yè)發(fā)展趨勢與投資預(yù)測。您若想對氮化鎵(GaN)行業(yè)產(chǎn)業(yè)有個系統(tǒng)的了解或者想投資中國氮化鎵(GaN)行業(yè)，本報告是您不可或缺的重要工具。本研究報告數(shù)據(jù)主要采用國家統(tǒng)計數(shù)據(jù)，海關(guān)總署，問卷調(diào)查數(shù)據(jù)，商務(wù)部采集數(shù)據(jù)等氮化鎵(GaN)。其中宏觀經(jīng)濟數(shù)據(jù)主要來自國家統(tǒng)計局，部分行業(yè)統(tǒng)計數(shù)據(jù)主要來自國家統(tǒng)計局及市場調(diào)研數(shù)據(jù)，企業(yè)數(shù)據(jù)主要來自于國統(tǒng)計局規(guī)模企業(yè)統(tǒng)計氮化鎵(GaN)及證券交易所等，價格數(shù)據(jù)主要來自于各類市場監(jiān)測氮化鎵(GaN)。
第一章 氮化鎵相關(guān)概述
第二章 半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展綜述
2.1 半導(dǎo)體材料相關(guān)概述
2.1.1 第一代半導(dǎo)體材料
2.1.2 第二代半導(dǎo)體材料
2.1.3 第三代半導(dǎo)體材料
2.1.4 半導(dǎo)體材料的應(yīng)用
2.2 全球半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r
2.2.1 市場銷售規(guī)模
2.2.2 區(qū)域分布狀況
2.2.3 細(xì)分市場結(jié)構(gòu)
2.2.4 市場競爭狀況
2.3 中國半導(dǎo)體材料行業(yè)運行狀況
2.3.1 應(yīng)用環(huán)節(jié)分析
2.3.2 產(chǎn)業(yè)支持政策
2.3.3 市場銷售規(guī)模
2.3.4 細(xì)分市場結(jié)構(gòu)
2.3.5 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
2.3.6 國產(chǎn)替代進程
2.4 中國半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對策
2.4.1 行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2 產(chǎn)品同質(zhì)化問題
2.4.3 供應(yīng)鏈不完善
2.4.4 行業(yè)發(fā)展建議
2.4.5 行業(yè)發(fā)展思路
2.5 半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望
2.5.1 行業(yè)發(fā)展趨勢
2.5.2 行業(yè)需求分析
2.5.3 行業(yè)前景分析
第三章 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析
3.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1 產(chǎn)業(yè)鏈條分析
3.1.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.3 產(chǎn)業(yè)支持政策
3.1.4 國產(chǎn)化將加速
3.2 氮化鎵市場發(fā)展?fàn)顩r
3.2.1 氮化鎵市場發(fā)展現(xiàn)狀
3.2.2 氮化鎵市場需求狀況
3.2.3 氮化鎵廠商布局狀況
3.2.4 氮化鎵市場競爭格局
3.2.5 氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
3.2.6 氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商
3.2.7 氮化鎵區(qū)域集聚發(fā)展
3.2.8 氮化鎵器件發(fā)展瓶頸
3.3 氮化鎵產(chǎn)業(yè)技術(shù)及研發(fā)狀況
3.3.1 產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新
3.3.2 產(chǎn)業(yè)研發(fā)進展
3.3.3 技術(shù)專利分析
第四章 氮化鎵器件主要類型發(fā)展分析
4.1 發(fā)光二極管（LED）
4.1.1 發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述
4.1.2 發(fā)光二極管（LED）市場發(fā)展現(xiàn)狀
4.1.3 發(fā)光二極管（LED）進出口數(shù)據(jù)分析
4.1.4 氮化鎵基藍(lán)綠光LED發(fā)展歷程
4.1.5 氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破
4.2 場效應(yīng)晶體管（FET）
4.2.1 場效應(yīng)晶體管（FET）發(fā)展概述
4.2.2 GaN FET與硅FET的比較分析
4.2.3 GaN FET產(chǎn)品的應(yīng)用情況
4.2.4 GaN FET產(chǎn)品研發(fā)進展
4.3 激光二極管（LD）
4.3.1 激光二極管（LD）發(fā)展概述
4.3.2 激光二極管（LD）背景技術(shù)
4.3.3 激光器進出口市場數(shù)據(jù)分析
4.3.4 GaN基激光器發(fā)展概況分析
4.3.5 GaN基激光器應(yīng)用狀況分析
4.3.6 GaN基激光器技術(shù)發(fā)展情況
4.3.7 GaN基激光器發(fā)展前景展望
4.4 二極管（Diodes）
4.4.1 二極管（Diodes）發(fā)展概述
4.4.2 二極管進出口市場數(shù)據(jù)分析
4.4.3 氮化鎵二極管技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
4.5 射頻器件（RF）
4.5.1 射頻器件（RF）發(fā)展概述
4.5.2 GaN射頻器件市場發(fā)展?fàn)顩r
4.5.3 GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
4.6 太陽能電池（Solar Cells）
4.6.1 中國太陽能電池進出口數(shù)據(jù)分析
4.6.2 InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展概述
4.6.3 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
4.6.4 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
4.6.5 InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展展望
第五章 氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
5.1 氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.1.1 電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
5.1.2 GaN應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢
5.1.3 GaN電力電子器件產(chǎn)品分析
5.1.4 GaN電力電子器件分布情況
5.1.5 GaN組件商品化帶來的機遇
5.1.6 電力電子器件市場未來發(fā)展方向
5.2 氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.2.1 新能源行業(yè)相關(guān)政策支持
5.2.2 新能源行業(yè)整體發(fā)展形勢
5.2.3 新能源發(fā)電建設(shè)和運行情況
5.2.4 GaN大功率器件需求潛力
5.3 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.3.1 發(fā)展智能電網(wǎng)的重要意義
5.3.2 智能電力設(shè)備發(fā)展分析
5.3.3 智能電力設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)
5.3.4 GaN大功率器件需求潛力
5.4 氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.4.1 通訊設(shè)備市場需求分析
5.4.2 通訊設(shè)備制造業(yè)運行分析
5.4.3 GaN大功率器件需求潛力
5.5 氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析
5.5.1 GaN在4C產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
5.5.2 GaN在無線基站領(lǐng)域應(yīng)用
5.5.3 GaN在紫外探測領(lǐng)域的應(yīng)用
5.5.4 GaN在紅外探測領(lǐng)域的應(yīng)用
5.5.5 GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用
5.5.6 GaN在生物化學(xué)探測領(lǐng)域的應(yīng)用
第六章 國際氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
6.1 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
6.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.1.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
6.1.3 企業(yè)產(chǎn)品動態(tài)
6.2 科沃（Qorvo, Inc.）
6.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.2.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
6.2.3 企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
6.3 雷神科技公司（Raytheon Technologies Corp.）
6.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.3.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
6.3.3 企業(yè)發(fā)展動態(tài)
6.4 恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
6.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.4.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
6.4.3 企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布
6.4.4 項目建設(shè)動態(tài)
6.5 英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
6.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
6.5.2 企業(yè)經(jīng)營狀況
6.5.3 企業(yè)產(chǎn)品動態(tài)
第七章 中國氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.1 蘇州納維科技有限公司
7.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2 企業(yè)主營業(yè)務(wù)
7.1.3 企業(yè)發(fā)展成就
7.2 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
7.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.2.2 企業(yè)發(fā)展成就
7.2.3 企業(yè)項目進展
7.3 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
7.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.3.2 企業(yè)人才隊伍
7.3.3 企業(yè)獲得榮譽
7.3.4 公司專利技術(shù)
7.3.5 企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
7.4 三安光電股份有限公司
7.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2 經(jīng)營效益分析
7.4.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
7.4.4 財務(wù)狀況分析
7.4.5 核心競爭力分析
7.4.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.4.7 未來前景展望
7.5 杭州士蘭微電子股份有限公司
7.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2 經(jīng)營效益分析
7.5.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
7.5.4 財務(wù)狀況分析
7.5.5 核心競爭力分析
7.5.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.5.7 未來前景展望
7.6 四川海特高新技術(shù)股份有限公司
7.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.6.2 經(jīng)營效益分析
7.6.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
7.6.4 財務(wù)狀況分析
7.6.5 核心競爭力分析
7.6.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
7.6.7 未來前景展望
第八章 氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測
8.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析
8.1.1 產(chǎn)業(yè)投資機會
8.1.2 企業(yè)并購案例
8.1.3 企業(yè)并購金額
8.1.4 投資擴產(chǎn)狀況
8.1.5 區(qū)域投資分布
8.2 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望
8.2.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
8.2.2 市場應(yīng)用潛力
8.2.3 市場發(fā)展機遇
8.3 中國氮化鎵市場預(yù)測分析
圖表目錄
圖表1 半導(dǎo)體發(fā)展歷程
圖表2 硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學(xué)性質(zhì)參數(shù)比較
圖表3 半導(dǎo)體材料性能比較
圖表4 砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體的作用
圖表5 纖鋅礦結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)特性
圖表6 三代半導(dǎo)體材料常溫下部分性質(zhì)
圖表7 半導(dǎo)體材料的主要應(yīng)用
圖表8 全球半導(dǎo)體材料銷售額及增速
圖表9 2019年全球半導(dǎo)體材料區(qū)域市場變化
圖表10 全球半導(dǎo)體材料細(xì)分市場結(jié)構(gòu)
圖表11 2018年全球前五大硅晶圓供應(yīng)商概況
圖表12 半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于晶圓制造與封測環(huán)節(jié)
圖表13 2019年部分地區(qū)半導(dǎo)體材料相關(guān)布局
圖表14 中國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模
圖表15 中國半導(dǎo)體材料細(xì)分市場結(jié)構(gòu)
圖表16 國內(nèi)企業(yè)半導(dǎo)體制造材料國產(chǎn)化率
圖表17 GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)及主要企業(yè)
圖表18 GaN外延用不同襯底的對比
圖表19 GaN器件主要產(chǎn)品與工藝技術(shù)
圖表20 GaN器件發(fā)展史
圖表21 第三代半導(dǎo)體國家級支持政策
圖表22 第三代半導(dǎo)體地方支持政策
圖表23 部分“十三五”重點研發(fā)技術(shù)
圖表24 國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要
圖表25 GaN器件適用于功率器件市場
圖表26 部分快充與無線充廠商產(chǎn)品布局統(tǒng)計表
圖表27 2018年國內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進展（一）
圖表28 2018年國內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進展（二）
圖表29 2018年8英寸Si基GaN外延片及器件研發(fā)進展
圖表30 GaN-on-Si光電、功率和射頻應(yīng)用領(lǐng)域的關(guān)鍵專利權(quán)人
圖表31 按應(yīng)用細(xì)分的GaN-on-Si專利申請趨勢
圖表32 電力電子領(lǐng)域的GaN-on-Si專利領(lǐng)導(dǎo)者
圖表33 LED的生產(chǎn)流程
圖表34 LED器件按封裝形式分類
圖表35 LED器件按應(yīng)用領(lǐng)域分類
圖表36 我國LED產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值規(guī)模走勢圖
圖表37 我國LED產(chǎn)業(yè)細(xì)分領(lǐng)域產(chǎn)值規(guī)模走勢圖
圖表38 我國LED產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用領(lǐng)域規(guī)模統(tǒng)計圖
圖表39 我國LED產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用市場結(jié)構(gòu)變動趨勢
圖表40 我國LED產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用市場規(guī)模增速對比
圖表41 中國LED芯片行業(yè)產(chǎn)值規(guī)模持續(xù)增長
圖表42 中國發(fā)光二極管進出口總量
圖表43 中國發(fā)光二極管進出口總額
圖表44 中國發(fā)光二極管進出口（總量）結(jié)構(gòu)
圖表45 中國發(fā)光二極管進出口（總額）結(jié)構(gòu)
圖表46 中國發(fā)光二極管貿(mào)易逆差規(guī)模
圖表47 中國發(fā)光二極管進口區(qū)域分布
圖表48 中國發(fā)光二極管進口市場集中度（分國家）
圖表49 2020年主要貿(mào)易國發(fā)光二極管進口市場情況
圖表50 2021年主要貿(mào)易國發(fā)光二極管進口市場情況
圖表51 中國發(fā)光二極管出口區(qū)域分布
圖表52 中國發(fā)光二極管出口市場集中度（分國家）
圖表53 2020年主要貿(mào)易國發(fā)光二極管出口市場情況
圖表54 2021年主要貿(mào)易國發(fā)光二極管出口市場情況
圖表55 主要省市發(fā)光二極管進口市場集中度（分省市）
圖表56 2020年主要省市發(fā)光二極管進口情況
圖表57 2021年主要省市發(fā)光二極管進口情況
圖表58 中國發(fā)光二極管出口市場集中度（分省市）
圖表59 2020年主要省市發(fā)光二極管出口情況
圖表60 2021年主要省市發(fā)光二極管出口情況
圖表61 GaN FET SOA曲線示例
?本報告所有內(nèi)容受法律保護，中華人民共和國涉外調(diào)查許可證：國統(tǒng)涉外證字第1454號。
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