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內(nèi)容概括

功率半導(dǎo)體器件（PowerSemiconductor Device）又稱電力電子器件（Power Electronic Device）。1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí)，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。

概括來說，功率半導(dǎo)體器件主要有功率模組、功率集成電路（即PowerIC，簡寫為PIC，又稱為功率IC）和分立器件三大類；其中，功率模組是將多個(gè)分立功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行模塊化封裝；功率IC對(duì)應(yīng)將分立功率半導(dǎo)體器件與驅(qū)動(dòng)/控制/保護(hù)/接口/監(jiān)測(cè)等外圍電路集成；而分立功率半導(dǎo)體器件則是功率模塊與功率IC的關(guān)鍵。

報(bào)告目錄

第一章功率半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展概述

第一節(jié) 功率半導(dǎo)體器件概況

一、功率半導(dǎo)體器件定義
二、功率半導(dǎo)體器件分類
三、功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用

第二節(jié) 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)營模式

一、生產(chǎn)模式
二、采購模式
三、銷售模式

第二章中國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)發(fā)展情況分析

第一節(jié) 全球半導(dǎo)體分立器件行業(yè)發(fā)展分析

一、全球半導(dǎo)體分立器件市場規(guī)模
二、全球半導(dǎo)體分立器件競爭格局

第二節(jié) 中國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)分析

一、半導(dǎo)體分立器件行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
二、半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量增長分析
三、半導(dǎo)體分立器件銷售收入規(guī)模

第三節(jié) 半導(dǎo)體分立器件行業(yè)競爭格局分析

一、產(chǎn)業(yè)分布情況
二、企業(yè)競爭情況

第四節(jié) 半導(dǎo)體分立器件行業(yè)發(fā)展問題與策略

一、半導(dǎo)體分立器件行業(yè)發(fā)展問題
二、半導(dǎo)體分立器件行業(yè)發(fā)展策略

第三章功率半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

第一節(jié) 全球功率半導(dǎo)體器件發(fā)展現(xiàn)狀

一、全球功率半導(dǎo)體器件行業(yè)市場規(guī)模
二、全球功率半導(dǎo)體器件市場結(jié)構(gòu)分析

第二節(jié) 中國半導(dǎo)體功率器件發(fā)展現(xiàn)狀

一、功率半導(dǎo)體器件材料迭代演進(jìn)
二、功率半導(dǎo)體器件行業(yè)生產(chǎn)企業(yè)
三、功率半導(dǎo)體器件行業(yè)市場規(guī)模

第四章功率半導(dǎo)體器件--IGBT發(fā)展分析

第一節(jié) 功率半導(dǎo)體器件--IGBT發(fā)展概況

一、IGBT行業(yè)發(fā)展特征
二、IGBT芯片技術(shù)的發(fā)展

第二節(jié) 功率半導(dǎo)體器件--IGBT發(fā)展分析

一、IGBT行業(yè)產(chǎn)量
二、IGBT行業(yè)需求量
三、IGBT行業(yè)自給率

第五章 IGBT行業(yè)下游應(yīng)用領(lǐng)域情況分析

第一節(jié) 傳統(tǒng)行業(yè)

一、變頻器行業(yè)
二、電焊機(jī)行業(yè)

第二節(jié) 新興行業(yè)

一、新能源汽車
二、新能源發(fā)電
三、變頻家電行業(yè)

第六章中國IGBT行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)競爭分析

第一節(jié) 杭州士蘭微電子股份有限公司

一、企業(yè)基本發(fā)展情況
二、企業(yè)主營業(yè)務(wù)分析
三、企業(yè)IGBT產(chǎn)品分析
四、企業(yè)經(jīng)營情況分析
五、企業(yè)競爭優(yōu)勢(shì)分析
六、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析

第二節(jié) 嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司

第三節(jié) 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司

第四節(jié) 吉林華微電子股份有限公司

第五節(jié) 湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司

第六節(jié) 江蘇宏微科技股份有限公司

第七章功率半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展影響因素分析

第一節(jié) 功率半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展有利因素

一、國家政策為行業(yè)發(fā)展提供有利支持
二、節(jié)能減排政策將推動(dòng) IGBT 市場需求增長
三、新能源領(lǐng)域的發(fā)展將推動(dòng)行業(yè)快速發(fā)展
四、IGBT 模塊應(yīng)用范圍日益廣泛
五、“進(jìn)口替代”政策支持

第二節(jié) 功率半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展不利因素

一、行業(yè)基礎(chǔ)相對(duì)薄弱
二、芯片國產(chǎn)率較低

第八章功率半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展前景與投資建議分析

第一節(jié) 功率半導(dǎo)體器件行業(yè)進(jìn)入障礙分析

一、技術(shù)壁壘
（一）芯片設(shè)計(jì)
（二）模塊設(shè)計(jì)及制造工藝
二、品牌和市場壁壘
三、資金壁壘

第二節(jié) 功率半導(dǎo)體器件行業(yè)前景與趨勢(shì)分析

一、功率半導(dǎo)體器件行業(yè)市場前景
二、功率半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
三、功率半導(dǎo)體器件行業(yè)規(guī)模預(yù)測(cè)

第三節(jié) 功率半導(dǎo)體器件行業(yè)投資建議分析

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