一、砷化鎵材料簡介 1
二、砷化鎵材料的主要特性 3
三、砷化鎵材料與硅材料特性對比研究 7

一、按照應(yīng)用領(lǐng)域不同分類 9
二、按照工藝方法不同的分類 11

技術(shù)的發(fā)展 13
一、國外砷化鎵材料技術(shù)的現(xiàn)狀與發(fā)展 13
二、國內(nèi)砷化鎵材料技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢 16

一、各種砷化鎵單晶制備工藝法概述 22
二、水平布里奇曼法（HB） 23
三、液封直拉法（LEC） 24
四、垂直梯度凝固法（VGF） 25
五、蒸氣壓控制直拉法（VCZ） 26

一、氣相外延 39
二、液相外延 40

第二部分 市場發(fā)展分析

一、國外砷化鎵材料技術(shù)研發(fā)概況 42
二、日、美砷化鎵IC生產(chǎn)廠家 43

產(chǎn)業(yè)狀況分析 43
一、海外砷化鎵產(chǎn)業(yè)狀況總述 43
二、日本砷化鎵生產(chǎn)與市場現(xiàn)狀 44
三、美國砷化鎵生產(chǎn)與市場現(xiàn)狀 44
四、臺灣砷化鎵生產(chǎn)與市場現(xiàn)狀 44

一、國民經(jīng)濟運行情況GDP 46
二、消費價格指數(shù)CPI、PPI 48
三、全國居民收入情況 48
四、恩格爾系數(shù) 49
五、工業(yè)發(fā)展形勢 50
六、固定資產(chǎn)投資情況 50
七、中國匯率調(diào)整 51
八、對外貿(mào)易&進出口 52

一、砷化鎵進出口政策分析 52
二、砷化鎵相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策影響分析 54
三、砷化鎵標準分析 60

一、人口環(huán)境分析 62
二、教育環(huán)境分析 63
三、文化環(huán)境分析 66
四、生態(tài)環(huán)境分析 68
五、中國城鎮(zhèn)化率 78
六、居民的各種消費觀念和習慣 79

一、砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)的主要特點 88
二、國內(nèi)砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)狀況 89
三、國內(nèi)砷化鎵材料生產(chǎn)技術(shù)及發(fā)展趨勢 90

一、發(fā)展砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)的建議 92
二、砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)的特性 92
三、發(fā)展砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思路 93

電子領(lǐng)域的應(yīng)用及市場現(xiàn)狀 96
一、無線通訊市場需求 96
二、光通訊市場需求 98
三、無線局域網(wǎng)（WLAN）市場需求 99
四、汽車電子產(chǎn)品市場需求 100
五、軍事電子產(chǎn)品市場需求 100

一、砷化鎵在LED方面的需求市場 101
二、我國在LED方面砷化鎵的需求市場 106
三、我國LED的主要生產(chǎn)廠家情況 113

太陽能電池行業(yè)的應(yīng)用與發(fā)展分析 116
一、太陽能電池行業(yè)發(fā)展分析 116
二、砷化鎵太陽能電池市場應(yīng)用與發(fā)展分析 119

一、國內(nèi)外砷化鎵材料供應(yīng)商比較 131
二、砷化鎵材料技術(shù)發(fā)展狀況分析 133
三、砷化鎵將在功率放大器制造工藝中脫穎而出 135
四、砷化鎵外延襯底市場萎縮面臨兼并和融合 136
五、射頻器件大變革，純CMOS能否取代GaAs工藝？ 136

一、砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)鏈解析 139
二、漢能布局砷化鎵砷化鎵薄膜產(chǎn)業(yè)化迎春天 140
三、砷化鎵入市存在的障礙及優(yōu)勢剖析 141

一、砷化鎵應(yīng)用領(lǐng)域及市場需求 143
二、我國砷化鎵供給狀況 147

第三部分 行業(yè)企業(yè)競爭格局

一、砷化鎵行業(yè)競爭程度分析 149
二、砷化鎵技術(shù)競爭分析 150
三、砷化鎵主要產(chǎn)品價格競爭分析 152

新材料股份有限公司 162
一、企業(yè)概況 162
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標分析 166
三、企業(yè)盈利能力分析 167
四、企業(yè)償債能力分析 168
五、企業(yè)運營能力分析 168
六、企業(yè)成長能力分析 168

天津中環(huán)半導體股份有限公司 169
一、企業(yè)概況 169
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標分析 170
三、企業(yè)盈利能力分析 171
四、企業(yè)償債能力分析 172
五、企業(yè)運營能力分析 172
六、企業(yè)成長能力分析 172

一、企業(yè)概況 173
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標分析 174
三、企業(yè)盈利能力分析 175
四、企業(yè)償債能力分析 176
五、企業(yè)運營能力分析 176
六、企業(yè)成長能力分析 176

一、企業(yè)概況 177
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標分析 178
三、企業(yè)盈利能力分析 179
四、企業(yè)償債能力分析 180
五、企業(yè)運營能力分析 180
六、企業(yè)成長能力分析 180

江西聯(lián)創(chuàng)光電科技股份有限公司 181
一、企業(yè)概況 181
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標分析 182
三、企業(yè)盈利能力分析 183
四、企業(yè)償債能力分析 184
五、企業(yè)運營能力分析 184
六、企業(yè)成長能力分析 184

一、企業(yè)概況 185
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標分析 186
三、企業(yè)盈利能力分析 187
四、企業(yè)償債能力分析 188
五、企業(yè)運營能力分析 188
六、企業(yè)成長能力分析 188

一、企業(yè)概況 189
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標分析 190
三、企業(yè)盈利能力分析 191
四、企業(yè)償債能力分析 192
五、企業(yè)運營能力分析 192
六、企業(yè)成長能力分析 192

一、中國半導體材料產(chǎn)業(yè)日益壯大 193
二、半導體產(chǎn)業(yè)商業(yè)模式 202
三、半導體設(shè)備材料市場現(xiàn)狀 207
四、半導體材料產(chǎn)業(yè)受政策大力支持 212

一、Intel公司研發(fā)半導體新材料取得重大突破 214
二、德國成功研制有機薄膜半導體新材料 214
三、國內(nèi)n型有機半導體材料研究獲新進展 215
四、中科院與山東大學合作研究多功能有機半導體材料 216
五、美科學家解開有機半導體性能之謎 218
六、中美合作研發(fā)納米新材料助力超薄半導體器件 220
七、意法半導體成功研發(fā)出首例薄膜壓電式MEMS產(chǎn)品 221

前景分析 223
一、借市場之力，推動半導體創(chuàng)新 223
二、國內(nèi)半導體材料企業(yè)加快技術(shù)創(chuàng)新步伐 226
三、半導體材料未來發(fā)展趨勢分析 229
四、中國半導體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望 230

第四部分 行業(yè)投資分析與建議

一、砷化鎵市場展望 234
二、砷化鎵技術(shù)方向分析 235
三、我國砷化鎵行業(yè)發(fā)展趨勢分析 236

一、砷化鎵供給預測分析 236
二、砷化鎵需求預測分析 242
三、砷化鎵競爭格局預測分析 244

一、政策法律風險分析 246
二、市場風險分析 247
三、技術(shù)風險分析 249
四、財務(wù)風險分析 250
五、經(jīng)營風險分析 250

圖表：砷化鎵的化學結(jié)構(gòu)式圖 1
圖表：砷化鎵化學性質(zhì) 3
圖表：砷化鎵的物理性質(zhì) 4
圖表：砷化鎵平衡相圖 4
圖表：砷化鎵器件應(yīng)用領(lǐng)域 10
圖表：國際砷化鎵材料主要生產(chǎn)廠商 14
圖表：砷化鎵的制造過程 22
圖表：水平布里奇曼法示意圖 23
圖表：液封直拉法示意圖 24
圖表：垂直梯度凝固法示意圖 25
圖表：砷化锿簡化頭、側(cè)面圖形 28
圖表：砷化鎵簡化頭、凌面圖形 29
圖表：布拉格衍射推導幾何關(guān)系示意圖 31
圖表：鍺、硅、砷化鎵晶體面對銅靶Ka輻射產(chǎn)生衍射的布拉格角 33
圖表：不同尺寸砷化鎵籽晶的最大承重量 34
圖表：砷化鎵晶片表面晶向和瞬時針晶片外形尺寸 34
圖表：砷化鎵(111)面和(-1-1-1)面的位錯圖 35
圖表：砷化锿晶片的晶向與(511>、、(111>晶片之間的夾角 35
圖表：砷化鎵單晶主要性能 37
圖表：不同波長（2.6-8.0）下砷化鎵的折射率 38
圖表：不同波長（8.2-13.6）下砷化鎵的折射率 38
圖表：2014年1-4季度GDP初步核算數(shù)據(jù) 46
圖表：GDP環(huán)比和同比增長速度 47
圖表：2012-2014年我國GDP季度累計增長圖 47
圖表：2014年我國居民人均收入情況 49
圖表：2010-2014年我國居民恩格爾系數(shù)情況 49
圖表：2014年我國工業(yè)增加值月度同比增長率情況 50
圖表：2010-2014年我國固定資產(chǎn)投資總值及增長率情況 51
圖表：2014年我國人民幣對美元的月度匯率 51
圖表：2010-2014年我國對外貿(mào)易進出庫情況 52
圖表：LEC砷化鎵單晶摻雜劑、載流子濃度范圍、電子遷移率 60
圖表：砷化鎵單晶錯位密度級別 61
圖表：太陽能電池砷化鎵外形尺寸 61
圖表：太陽能電池砷化鎵電學性能 61
圖表：太陽能電池砷化鎵錯位密度和分布要求 61
圖表：太陽能電池砷化鎵檢驗項目、規(guī)則和判據(jù) 62
圖表：2014年我國不同教育程度人口比例 65
圖表：2010-2014年我國普通高等學校數(shù)量 66
圖表：文化環(huán)境結(jié)構(gòu)圖 67
圖表：1978-2014年我國城鎮(zhèn)化率情況 79
圖表：有砷化鎵制作的光電子和微電子器件 95
圖表：LED發(fā)光亮度 103
圖表：可見光LED依發(fā)光顏色分類依發(fā)光顏色分類 103
圖表：2009-2015年全球高亮度LED市場規(guī)模 105
圖表：2009-2015年全球高亮度LED市場總出貨數(shù)量 106
圖表：我國LED產(chǎn)業(yè)價值鏈——“非對稱微笑曲線” 107
圖表：2014年我國LED種類分布情況 109
圖表：2014年我國各區(qū)域led產(chǎn)量分布 109
圖表：2014年內(nèi)我國LED出口分布情況 110
圖表：我國大陸發(fā)展LED策略目標 112
圖表：2014年我國主營LED業(yè)務(wù)的上市企業(yè)盈利情況 113
圖表：不同種類太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率比較表 116
圖表：太陽能電池產(chǎn)業(yè)鏈示意圖 117
圖表：不同種類太陽能電池比較 117
圖表：2010-2050年太陽能光伏產(chǎn)業(yè)容量 118
圖表：國際砷化鎵材料主要生產(chǎn)廠商 131
圖表：國內(nèi)砷化鎵材料主要生產(chǎn)企業(yè) 133
圖表：GaAs單晶生長方法比較 135
圖表：砷化鎵產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品進入市場難度分析 142
圖表：半導體材料技術(shù)特性比較 143
圖表：2010-2014年我國砷化鎵材料需求總量及增長率變化 145
圖表：2012-2014年有研新材料股份有限公司資產(chǎn)負債表 166
圖表：2012-2014年有研新材料股份有限公司利潤表 166
圖表：2012-2014年有研新材料股份有限公司現(xiàn)金流量表 167
圖表：2012-2014年有研新材料股份有限公司盈利能力指標 167
圖表：2012-2014年有研新材料股份有限公司盈利質(zhì)量指標 167
圖表：2013-2014年有研新材料股份有限公司償債能力分析 168
圖表：2012-2014年有研新材料股份有限公司運營能力指標 168
圖表：2012-2014年有研新材料股份有限公司成長能力指標 168
圖表：2012-2014年天津中環(huán)半導體股份有限公司資產(chǎn)負債表 170
圖表：2012-2014年天津中環(huán)半導體股份有限公司利潤表 170
圖表：2012-2014年天津中環(huán)半導體股份有限公司現(xiàn)金流量表 171
圖表：2012-2014年天津中環(huán)半導體股份有限公司盈利能力指標 171
圖表：2012-2014年天津中環(huán)半導體股份有限公司盈利質(zhì)量指標 171
圖表：2013-2014年天津中環(huán)半導體股份有限公司償債能力分析 172
圖表：2012-2014年天津中環(huán)半導體股份有限公司運營能力指標 172
圖表：2012-2014年天津中環(huán)半導體股份有限公司成長能力指標 172
圖表：2012-2014年三安光電股份有限公司資產(chǎn)負債表 174
圖表：2012-2014年三安光電股份有限公司利潤表 174
圖表：2012-2014年三安光電股份有限公司現(xiàn)金流量表 175
圖表：2012-2014年三安光電股份有限公司盈利能力指標 175
圖表：2012-2014年三安光電股份有限公司盈利質(zhì)量指標 175
圖表：2013-2014年三安光電股份有限公司償債能力分析 176
圖表：2012-2014年三安光電股份有限公司運營能力指標 176
圖表：2012-2014年三安光電股份有限公司成長能力指標 176
圖表：2012-2014年南通富士通微電子股份有限公司資產(chǎn)負債表 178
圖表：2012-2014年南通富士通微電子股份有限公司利潤表 178
圖表：2012-2014年南通富士通微電子股份有限公司現(xiàn)金流量表 179
圖表：2012-2014年南通富士通微電子股份有限公司盈利能力指標 179
圖表：2012-2014年南通富士通微電子股份有限公司盈利質(zhì)量指標 179
圖表：2013-2014年南通富士通微電子股份有限公司償債能力分析 180
圖表：2012-2014年南通富士通微電子股份有限公司運營能力指標 180
圖表：2012-2014年南通富士通微電子股份有限公司成長能力指標 180
圖表：2012-2014年江西聯(lián)創(chuàng)光電科技股份有限公司資產(chǎn)負債表 182
圖表：2012-2014年江西聯(lián)創(chuàng)光電科技股份有限公司利潤表 182
圖表：2012-2014年江西聯(lián)創(chuàng)光電科技股份有限公司現(xiàn)金流量表 183
圖表：2012-2014年江西聯(lián)創(chuàng)光電科技股份有限公司盈利能力指標 183
圖表：2012-2014年江西聯(lián)創(chuàng)光電科技股份有限公司盈利質(zhì)量指標 183
圖表：2013-2014年江西聯(lián)創(chuàng)光電科技股份有限公司償債能力分析 184
圖表：2012-2014年江西聯(lián)創(chuàng)光電科技股份有限公司運營能力指標 184
圖表：2012-2014年江西聯(lián)創(chuàng)光電科技股份有限公司成長能力指標 184
圖表：2012-2014年杭州士蘭微電子股份有限公司資產(chǎn)負債表 186
圖表：2012-2014年杭州士蘭微電子股份有限公司利潤表 186
圖表：2012-2014年杭州士蘭微電子股份有限公司現(xiàn)金流量表 187
圖表：2012-2014年杭州士蘭微電子股份有限公司盈利能力指標 187
圖表：2012-2014年杭州士蘭微電子股份有限公司盈利質(zhì)量指標 187
圖表：2013-2014年杭州士蘭微電子股份有限公司償債能力分析 188
圖表：2012-2014年杭州士蘭微電子股份有限公司運營能力指標 188
圖表：2012-2014年杭州士蘭微電子股份有限公司成長能力指標 188
圖表：2012-2014年同方股份有限公司資產(chǎn)負債表 190
圖表：2012-2014年同方股份有限公司利潤表 190
圖表：2012-2014年同方股份有限公司現(xiàn)金流量表 191
圖表：2012-2014年同方股份有限公司盈利能力指標 191
圖表：2012-2014年同方股份有限公司盈利質(zhì)量指標 191
圖表：2013-2014年同方股份有限公司償債能力分析 192
圖表：2012-2014年同方股份有限公司運營能力指標 192
圖表：2012-2014年同方股份有限公司成長能力指標 192
圖表：2013年中國上市芯片設(shè)計公司股價漲幅前十名 198
圖表：分子材料OTFT器件的結(jié)構(gòu)示意圖及器件的轉(zhuǎn)移曲線 216
圖表：分子材料OTFT器件的穩(wěn)定性測試 216
圖表：溶液法生長的一維微米單晶線 217
圖表：以單根微米單晶線制備的場效應(yīng)晶體管和電流-電壓曲線 218
圖表：三像素電荷耦合器件（CCD）捕捉圖像模型 220
略……