2.1　2019-2021年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總體分析
2.1.1　市場(chǎng)銷售規(guī)模
2.1.2　收入增長結(jié)構(gòu)
2.1.3　產(chǎn)業(yè)研發(fā)支出
2.1.4　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
2.1.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
2.2　中國半導(dǎo)體行業(yè)政策驅(qū)動(dòng)因素分析
2.2.1　《中國制造2025》相關(guān)政策
2.2.2　集成電路產(chǎn)業(yè)扶持政策
2.2.3　集成電路企業(yè)稅收政策
2.2.4　國家產(chǎn)業(yè)基金發(fā)展支持
2.3　2019-2021年中國半導(dǎo)體市場(chǎng)運(yùn)行狀況
2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
2.3.2　產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模
2.3.3　區(qū)域分布情況
2.3.4　自主創(chuàng)新發(fā)展
2.3.5　發(fā)展機(jī)會(huì)分析
2.4　中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
2.4.1　產(chǎn)業(yè)技術(shù)落后
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展困境
2.4.3　市場(chǎng)壟斷困境
2.5　中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議分析
2.5.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略
2.5.2　產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化發(fā)展
2.5.3　加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新
2.5.4　突破壟斷策略

3.1　功率半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析
3.1.1　價(jià)值鏈核心環(huán)節(jié)
3.1.2　設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的發(fā)展價(jià)值
3.1.3　價(jià)值鏈競(jìng)爭(zhēng)形勢(shì)分析
3.2　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整體結(jié)構(gòu)
3.2.1　產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)圖
3.2.2　相關(guān)上市公司
3.3　功率半導(dǎo)體上游領(lǐng)域分析
3.3.1　上游材料領(lǐng)域
3.3.2　上游設(shè)備領(lǐng)域
3.3.3　重點(diǎn)行業(yè)分析
3.3.4　上游相關(guān)企業(yè)
3.4　功率半導(dǎo)體下游領(lǐng)域分析
3.4.1　主要應(yīng)用領(lǐng)域
3.4.2　創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域
3.4.3　下游相關(guān)企業(yè)

4.1　2018-2021年全球功率半導(dǎo)體發(fā)展分析
4.1.1　發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素
4.1.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
4.1.3　細(xì)分市場(chǎng)占比
4.1.4　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
4.1.5　應(yīng)用領(lǐng)域狀況
4.1.6　廠商擴(kuò)產(chǎn)情況
4.2　2019-2021年中國功率半導(dǎo)體發(fā)展分析
4.2.1　行業(yè)發(fā)展特點(diǎn)
4.2.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
4.2.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
4.2.4　支持基金分布
4.2.5　企業(yè)研發(fā)狀況
4.2.6　下游應(yīng)用狀況
4.3　2019-2021年國內(nèi)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)
4.3.1　碳化硅功率半導(dǎo)體模塊封測(cè)項(xiàng)目
4.3.2　揚(yáng)杰功率半導(dǎo)體芯片封測(cè)項(xiàng)目
4.3.3　臺(tái)芯科技大功率半導(dǎo)體IGBT模塊項(xiàng)目
4.3.4　露笑科技第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目
4.3.5　12英寸車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目
4.3.6　富能功率半導(dǎo)體8英寸項(xiàng)目
4.4　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展困境及建議
4.4.1　行業(yè)發(fā)展困境
4.4.2　行業(yè)發(fā)展建議

5.1　MOSFET產(chǎn)業(yè)發(fā)展概述
5.1.1　MOSFET主要類型
5.1.2　MOSFET發(fā)展歷程
5.1.3　MOSFET產(chǎn)品介紹
5.2　2019-2021年MOSFET市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r分析
5.2.1　行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素
5.2.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
5.2.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
5.2.4　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
5.2.5　價(jià)格變動(dòng)影響
5.3　MOSFET產(chǎn)業(yè)分層次發(fā)展情況分析
5.3.1　分層情況
5.3.2　低端層次
5.3.3　中端層次
5.3.4　高端層次
5.3.5　對(duì)比分析
5.4　MOSFET主要應(yīng)用領(lǐng)域分析
5.4.1　應(yīng)用領(lǐng)域介紹
5.4.2　下游行業(yè)分析
5.4.3　需求動(dòng)力分析
5.5　MOSFET市場(chǎng)前景展望及趨勢(shì)分析
5.5.1　市場(chǎng)空間測(cè)算
5.5.2　長期發(fā)展趨勢(shì)

6.1　2019-2021年全球IGBT行業(yè)發(fā)展分析
6.1.1　行業(yè)發(fā)展歷程
6.1.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
6.1.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
6.1.4　下游應(yīng)用占比
6.2　2019-2021年中國IGBT行業(yè)發(fā)展分析
6.2.1　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
6.2.2　商業(yè)模式分析
6.2.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
6.2.4　企業(yè)技術(shù)布局
6.2.5　應(yīng)用領(lǐng)域分布
6.3　IGBT產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展分析
6.3.1　國際IGBT產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)分布
6.3.2　國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ)分析
6.3.3　國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈配套問題
6.4　IGBT主要應(yīng)用領(lǐng)域分析
6.4.1　工業(yè)控制領(lǐng)域
6.4.2　家電領(lǐng)域應(yīng)用
6.4.3　新能源發(fā)電領(lǐng)域
6.4.4　新能源汽車
6.4.5　軌道交通
6.5　IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇及前景展望
6.5.1　國產(chǎn)發(fā)展機(jī)遇
6.5.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向
6.5.3　發(fā)展前景展望

7.1　碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體
7.1.1　產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)分析
7.1.2　市場(chǎng)發(fā)展歷程
7.1.3　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
7.1.4　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
7.1.5　下游市場(chǎng)應(yīng)用
7.1.6　產(chǎn)品技術(shù)挑戰(zhàn)
7.1.7　未來發(fā)展展望
7.2　氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體
7.2.1　產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)分析
7.2.2　產(chǎn)業(yè)鏈條結(jié)構(gòu)
7.2.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
7.2.4　應(yīng)用領(lǐng)域分布
7.2.5　發(fā)展前景展望

8.1　功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展概況
8.1.1　技術(shù)演進(jìn)方式
8.1.2　技術(shù)演變歷程
8.1.3　技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
8.2　2019-2021年國內(nèi)功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
8.2.1　新型產(chǎn)品發(fā)展
8.2.2　區(qū)域發(fā)展?fàn)顩r
8.2.3　車規(guī)級(jí)技術(shù)發(fā)展
8.3　IGBT技術(shù)進(jìn)展及挑戰(zhàn)分析
8.3.1　封裝技術(shù)分析
8.3.2　車用技術(shù)要求
8.3.3　技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
8.4　車規(guī)級(jí)IGBT的技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案
8.4.1　技術(shù)難題與挑戰(zhàn)
8.4.2　車規(guī)級(jí)IGBT拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
8.4.3　車規(guī)級(jí)IGBT技術(shù)解決方案
8.5　車規(guī)級(jí)功率器件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)分析
8.5.1　精細(xì)化技術(shù)
8.5.2　超結(jié)IGBT技術(shù)
8.5.3　高結(jié)溫終端技術(shù)
8.5.4　先進(jìn)封裝技術(shù)
8.5.5　功能集成技術(shù)

9.1　消費(fèi)電子領(lǐng)域
9.1.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)模
9.1.2　產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成效
9.1.3　應(yīng)用潛力分析
9.2　傳統(tǒng)汽車電子領(lǐng)域
9.2.1　產(chǎn)業(yè)相關(guān)概述
9.2.2　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
9.2.3　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
9.2.4　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
9.2.5　應(yīng)用潛力分析
9.3　新能源汽車領(lǐng)域
9.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
9.3.2　器件應(yīng)用情況
9.3.3　應(yīng)用潛力分析
9.3.4　應(yīng)用價(jià)值對(duì)比
9.3.5　市場(chǎng)空間測(cè)算
9.4　工業(yè)控制領(lǐng)域
9.4.1　驅(qū)動(dòng)因素分析
9.4.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
9.4.3　核心領(lǐng)域發(fā)展
9.4.4　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
9.4.5　未來發(fā)展展望
9.5　家用電器領(lǐng)域
9.5.1　家電行業(yè)發(fā)展階段
9.5.2　家電行業(yè)運(yùn)行規(guī)模
9.5.3　變頻家電應(yīng)用需求
9.5.4　變頻家電銷售數(shù)量
9.5.5　變頻家電應(yīng)用前景
9.6　其他應(yīng)用領(lǐng)域
9.6.1　物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域
9.6.2　新能源發(fā)電領(lǐng)域

10.1　英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　產(chǎn)品發(fā)展路線
10.1.3　2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.1.4　2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.1.5　2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.2　羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)（ROHM Semiconductor）
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.2.3　2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.2.4　2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.3　安森美半導(dǎo)體（On Semiconductor）
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.3.3　2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.3.4　2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.4　意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics N.V.）
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.4.3　2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.4.4　2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.5　德州儀器（Texas Instruments）
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　2019年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.5.3　2020年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.5.4　2021年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.6　高通（QUALCOMM, Inc.）
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.6.3　2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.6.4　2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析

11.1　吉林華微電子股份有限公司
11.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
11.1.2　經(jīng)營效益分析
11.1.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.1.4　財(cái)務(wù)狀況分析
11.1.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
11.1.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.1.7　未來前景展望
11.2　湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司
11.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
11.2.2　經(jīng)營效益分析
11.2.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.2.4　財(cái)務(wù)狀況分析
11.2.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
11.2.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.2.7　未來前景展望
11.3　杭州士蘭微電子股份有限公司
11.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
11.3.2　經(jīng)營效益分析
11.3.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.3.4　財(cái)務(wù)狀況分析
11.3.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
11.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.3.7　未來前景展望
11.4　江蘇捷捷微電子股份有限公司
11.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
11.4.2　經(jīng)營效益分析
11.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析
11.4.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
11.4.6　未來前景展望
11.5　揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司
11.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
11.5.2　經(jīng)營效益分析
11.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
11.5.4　財(cái)務(wù)狀況分析
11.5.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
11.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
11.5.7　未來前景展望

12.1　超薄微功率半導(dǎo)體芯片封測(cè)項(xiàng)目
12.1.1　項(xiàng)目基本概況
12.1.2　項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度
12.1.3　項(xiàng)目投資概算
12.1.4　項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益
12.1.5　項(xiàng)目可行性分析
12.2　華潤微功率半導(dǎo)體封測(cè)基地項(xiàng)目
12.2.1　項(xiàng)目基本概況
12.2.2　項(xiàng)目實(shí)施規(guī)劃
12.2.3　項(xiàng)目投資必要性
12.2.4　項(xiàng)目投資可行性
12.3　功率半導(dǎo)體“車規(guī)級(jí)”封測(cè)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目
12.3.1　項(xiàng)目基本概況
12.3.2　項(xiàng)目投資概算
12.3.3　項(xiàng)目投資規(guī)劃
12.3.4　項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益
12.3.5　項(xiàng)目投資必要性
12.3.6　項(xiàng)目投資可行性
12.4　嘉興斯達(dá)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目
12.4.1　項(xiàng)目基本概況
12.4.2　項(xiàng)目投資計(jì)劃
12.4.3　項(xiàng)目投資必要性
12.4.4　項(xiàng)目投資可行性

13.1　功率半導(dǎo)體行業(yè)投資壁壘
13.1.1　技術(shù)壁壘
13.1.2　人才壁壘
13.1.3　資金壁壘
13.1.4　認(rèn)證壁壘
13.2　功率半導(dǎo)體行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
13.2.1　宏觀經(jīng)濟(jì)波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)
13.2.2　政策導(dǎo)向變化風(fēng)險(xiǎn)
13.2.3　中美貿(mào)易摩擦風(fēng)險(xiǎn)
13.2.4　國際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)風(fēng)險(xiǎn)
13.2.5　技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新風(fēng)險(xiǎn)
13.2.6　行業(yè)利潤變動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)
13.3　功率半導(dǎo)體行業(yè)投資邏輯及建議
13.3.1　投資邏輯分析
13.3.2　投資方向建議
13.3.3　企業(yè)投資建議

14.1　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇分析
14.1.1　進(jìn)口替代機(jī)遇分析
14.1.2　能效標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定機(jī)遇
14.1.3　終端應(yīng)用升級(jí)機(jī)遇
14.1.4　工業(yè)市場(chǎng)應(yīng)用機(jī)遇
14.1.5　汽車市場(chǎng)應(yīng)用機(jī)遇
14.2　功率半導(dǎo)體未來需求應(yīng)用場(chǎng)景
14.2.1　清潔能源行業(yè)的發(fā)展
14.2.2　新能源汽車行業(yè)的發(fā)展
14.2.3　物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的發(fā)展
14.3　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
14.3.1　產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)
14.3.2　晶圓供不應(yīng)求
14.4　2022-2027年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測(cè)分析

圖表1　半導(dǎo)體分類結(jié)構(gòu)圖
圖表2　半導(dǎo)體分類
圖表3　半導(dǎo)體分類及應(yīng)用
圖表4　功率半導(dǎo)體器件的工作范圍
圖表5　手機(jī)中功率半導(dǎo)體的應(yīng)用示意圖
圖表6　功率半導(dǎo)體性能要求
圖表7　功率半導(dǎo)體主要性能指標(biāo)
圖表8　功率半導(dǎo)體主要產(chǎn)品種類
圖表9　MOSFET結(jié)構(gòu)示意圖
圖表10　IGBT內(nèi)線結(jié)構(gòu)及簡(jiǎn)化的等效電路圖
圖表11　2015-2020年全球半導(dǎo)體銷售收入及增速
圖表12　2020年全球半導(dǎo)體收入增長結(jié)構(gòu)
圖表13　2000-2025年全球半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)支出及預(yù)測(cè)
圖表14　2020全球半導(dǎo)體廠商銷售額TOP10
圖表15　2020年全球半導(dǎo)體前十名銷售廠商區(qū)域分布
圖表16　《中國制造2025》半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與政策支持
圖表17　2015-2030年IC產(chǎn)業(yè)政策目標(biāo)與發(fā)展重點(diǎn)
圖表18　《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》發(fā)展目標(biāo)
圖表19　一期大基金投資各領(lǐng)域份額占比
圖表20　一期大基金投資領(lǐng)域及部分企業(yè)
圖表21　國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展階段
圖表22　國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要
圖表23　2014-2020年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額及增速
圖表24　2019年全國主要省市集成電路產(chǎn)量
圖表25　2019年集成電路產(chǎn)量區(qū)域結(jié)構(gòu)圖