2.1　2019-2021年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)運(yùn)行狀況
2.1.1　標(biāo)準(zhǔn)制定情況
2.1.2　國(guó)際產(chǎn)業(yè)格局
2.1.3　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
2.1.4　SiC創(chuàng)新進(jìn)展
2.1.5　GaN創(chuàng)新進(jìn)展
2.1.6　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
2.1.7　企業(yè)發(fā)展布局
2.1.8　企業(yè)合作動(dòng)態(tài)
2.2　美國(guó)
2.2.1　經(jīng)費(fèi)投入規(guī)模
2.2.2　產(chǎn)業(yè)技術(shù)優(yōu)勢(shì)
2.2.3　技術(shù)創(chuàng)新中心
2.2.4　項(xiàng)目研發(fā)情況
2.2.5　戰(zhàn)略層面部署
2.3　日本
2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃
2.3.2　封裝技術(shù)聯(lián)盟
2.3.3　技術(shù)領(lǐng)先狀況
2.3.4　產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略部署
2.3.5　國(guó)際合作動(dòng)態(tài)
2.4　歐盟
2.4.1　項(xiàng)目研發(fā)情況
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)
2.4.3　前沿企業(yè)格局
2.4.4　未來(lái)發(fā)展熱點(diǎn)

3.1　政策環(huán)境（Political）
3.1.1　中央部委政策支持
3.1.2　地方政府扶持政策
3.1.3　行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)行情況
3.1.4　中美貿(mào)易摩擦影響
3.2　經(jīng)濟(jì)環(huán)境（Economic）
3.2.1　宏觀經(jīng)濟(jì)概況
3.2.2　工業(yè)運(yùn)行情況
3.2.3　投資結(jié)構(gòu)優(yōu)化
3.2.4　未來(lái)經(jīng)濟(jì)展望
3.3　社會(huì)環(huán)境（Social）
3.3.1　社會(huì)教育水平
3.3.2　知識(shí)專利水平
3.3.3　研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入
3.3.4　技術(shù)人才儲(chǔ)備
3.4　技術(shù)環(huán)境（Technological）
3.4.1　專利申請(qǐng)狀況
3.4.2　科技計(jì)劃專項(xiàng)
3.4.3　制造技術(shù)成熟
3.4.4　產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟

4.1　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點(diǎn)
4.1.1　數(shù)字基建打開成長(zhǎng)空間
4.1.2　背光市場(chǎng)空間逐步擴(kuò)大
4.1.3　襯底和外延是關(guān)鍵環(huán)節(jié)
4.1.4　各國(guó)政府高度重視發(fā)展
4.1.5　產(chǎn)業(yè)鏈向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移明顯
4.2　2019-2021年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展運(yùn)行綜述
4.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.2　產(chǎn)線產(chǎn)能規(guī)模
4.2.3　產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
4.2.4　國(guó)產(chǎn)替代狀況
4.2.5　行業(yè)發(fā)展空間
4.3　2019-2021年中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)運(yùn)行狀況分析
4.3.1　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
4.3.2　細(xì)分市場(chǎng)規(guī)模
4.3.3　市場(chǎng)應(yīng)用分布
4.3.4　區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)格局
4.3.5　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
4.3.6　產(chǎn)品發(fā)展動(dòng)力
4.4　2019-2021年中國(guó)第三代半導(dǎo)體上游原材料市場(chǎng)發(fā)展分析
4.4.1　上游金屬硅產(chǎn)能釋放
4.4.2　上游金屬硅價(jià)格走勢(shì)
4.4.3　上游氧化鋅市場(chǎng)現(xiàn)狀
4.4.4　上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.5　上游材料競(jìng)爭(zhēng)狀況分析
4.5　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問(wèn)題分析
4.5.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展問(wèn)題
4.5.2　市場(chǎng)推進(jìn)難題
4.5.3　技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
4.5.4　材料發(fā)展挑戰(zhàn)
4.6　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對(duì)策
4.6.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議
4.6.2　建設(shè)發(fā)展聯(lián)盟
4.6.3　加強(qiáng)企業(yè)培育
4.6.4　集聚產(chǎn)業(yè)人才
4.6.5　推動(dòng)應(yīng)用示范
4.6.6　材料發(fā)展思路

5.1　GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展?fàn)顩r
5.1.1　GaN產(chǎn)業(yè)鏈
5.1.2　GaN結(jié)構(gòu)性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類型
5.1.5　技術(shù)專利情況
5.1.6　技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
5.2　GaN材料市場(chǎng)發(fā)展概況分析
5.2.1　市場(chǎng)供給情況
5.2.2　材料價(jià)格走勢(shì)
5.2.3　材料技術(shù)水平
5.2.4　應(yīng)用市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
5.2.5　應(yīng)用市場(chǎng)預(yù)測(cè)
5.2.6　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況
5.3　GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1　器件產(chǎn)品類別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　射頻器件產(chǎn)品
5.3.4　電力電子器件
5.3.5　光電子器件
5.4　GaN器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
5.4.1　電子電力器件應(yīng)用
5.4.2　高頻功率器件應(yīng)用
5.4.3　應(yīng)用實(shí)現(xiàn)條件與對(duì)策
5.5　GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1　器件技術(shù)難題
5.5.2　電源技術(shù)瓶頸
5.5.3　風(fēng)險(xiǎn)控制建議

6.1　SiC材料基本性質(zhì)與制備技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
6.1.1　SiC性能特點(diǎn)
6.1.2　SiC制備工藝
6.1.3　SiC產(chǎn)品類型
6.1.4　單晶技術(shù)專利
6.1.5　技術(shù)發(fā)展路線
6.2　SiC材料市場(chǎng)發(fā)展概況分析
6.2.1　產(chǎn)業(yè)鏈分析
6.2.2　材料價(jià)格走勢(shì)
6.2.3　材料市場(chǎng)規(guī)模
6.2.4　材料技術(shù)水平
6.2.5　市場(chǎng)應(yīng)用情況
6.2.6　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)
6.3　SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1　電力電子器件
6.3.2　功率模塊產(chǎn)品
6.3.3　器件產(chǎn)品研發(fā)
6.3.4　產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)
6.4　SiC器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
6.4.1　應(yīng)用整體技術(shù)路線
6.4.2　電網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.3　電力牽引應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.4　電動(dòng)汽車應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.5　家用電器和消費(fèi)類電子應(yīng)用

7.1?、笞宓锇雽?dǎo)體材料發(fā)展分析
7.1.1　基礎(chǔ)概念介紹
7.1.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產(chǎn)品
7.1.5　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.1.6　發(fā)展建議對(duì)策
7.2　寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應(yīng)用器件
7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.3.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.3.2　材料制備工藝
7.3.3　主要技術(shù)發(fā)展
7.3.4　器件應(yīng)用發(fā)展
7.3.5　未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
7.4　金剛石半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.4.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.4.2　襯底制備工藝
7.4.3　主要器件產(chǎn)品
7.4.4　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.4.5　器件研發(fā)進(jìn)展
7.4.6　未來(lái)發(fā)展前景

8.1　第三代半導(dǎo)體下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展概況
8.1.1　下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)分布
8.1.2　下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)
8.1.3　下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2　2019-2021年電子電力領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.2.1　全球市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
8.2.2　國(guó)內(nèi)市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
8.2.3　國(guó)內(nèi)器件應(yīng)用分布
8.2.4　國(guó)內(nèi)應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模
8.2.5　器件廠商布局分析
8.2.6　器件產(chǎn)品價(jià)格走勢(shì)
8.3　2019-2021年微波射頻領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.3.1　射頻器件市場(chǎng)規(guī)模
8.3.2　射頻器件市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
8.3.3　射頻器件市場(chǎng)需求
8.3.4　國(guó)防基站應(yīng)用規(guī)模
8.3.5　射頻器件發(fā)展趨勢(shì)
8.4　2019-2021年半導(dǎo)體照明領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.4.1　發(fā)展政策支持
8.4.2　行業(yè)發(fā)展規(guī)模
8.4.3　產(chǎn)業(yè)鏈分析
8.4.4　應(yīng)用市場(chǎng)分布
8.4.5　照明技術(shù)突破
8.4.6　技術(shù)發(fā)展方向
8.4.7　行業(yè)發(fā)展展望
8.5　2019-2021年半導(dǎo)體激光器發(fā)展?fàn)顩r
8.5.1　市場(chǎng)規(guī)?，F(xiàn)狀
8.5.2　企業(yè)發(fā)展格局
8.5.3　應(yīng)用研發(fā)現(xiàn)狀
8.5.4　主要技術(shù)分析
8.5.5　未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
8.6　2019-2021年5G新基建領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.6.1　5G建設(shè)進(jìn)程
8.6.2　應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模
8.6.3　賦能射頻產(chǎn)業(yè)
8.6.4　應(yīng)用發(fā)展方向
8.6.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
8.7　2019-2021年新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.7.1　行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模
8.7.2　主要應(yīng)用場(chǎng)景
8.7.3　企業(yè)布局情況
8.7.4　市場(chǎng)應(yīng)用空間
8.7.5　市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)

9.1　2019-2021年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2　區(qū)域建設(shè)回顧
9.2　京津翼地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1　北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.2.2　順義產(chǎn)業(yè)扶持政策
9.2.3　保定產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.4　應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地
9.2.5　區(qū)域未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
9.3　中西部地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1　四川產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.3.2　重慶產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.3.3　西安產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4　珠三角地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1　廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策
9.4.2　廣州市產(chǎn)業(yè)支持
9.4.3　深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4.4　東莞產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4.5　區(qū)域未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
9.5　華東地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1　江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
9.5.2　蘇州產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.5.3　山東產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
9.5.4　福建產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.5.5　區(qū)域未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
9.6　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補(bǔ)足SiC領(lǐng)域短板
9.6.3　開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
9.6.4　鼓勵(lì)地方加大投入

10.1　三安光電股份有限公司
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　業(yè)務(wù)布局動(dòng)態(tài)
10.1.3　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.1.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.1.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.1.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.1.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.1.8　未來(lái)前景展望
10.2　北京賽微電子股份有限公司
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　相關(guān)業(yè)務(wù)布局
10.2.3　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.2.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.2.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.2.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.2.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.2.8　未來(lái)前景展望
10.3　廈門乾照光電股份有限公司
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.3.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.3.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.3.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.3.7　未來(lái)前景展望
10.4　湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.4.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5　華燦光電股份有限公司
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.5.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.5.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5.7　未來(lái)前景展望
10.6　聞泰科技股份有限公司
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.6.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.6.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.6.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.6.7　未來(lái)前景展望
10.7　株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司
10.7.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.7.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.7.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.7.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.7.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略

11.1　行業(yè)投資背景
11.1.1　行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2　投資市場(chǎng)周期
11.1.3　行業(yè)投資動(dòng)態(tài)
11.1.4　行業(yè)投資前景
11.2　行業(yè)投融資情況
11.2.1　國(guó)際投資案例
11.2.2　國(guó)內(nèi)投資案例
11.2.3　國(guó)際企業(yè)并購(gòu)
11.2.4　國(guó)內(nèi)企業(yè)并購(gòu)
11.2.5　企業(yè)融資動(dòng)態(tài)
11.3　行業(yè)投資壁壘
11.3.1　技術(shù)壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿(mào)易壁壘
11.4　行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
11.4.1　企業(yè)經(jīng)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)
11.4.2　技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)
11.4.3　行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)風(fēng)險(xiǎn)
11.4.4　產(chǎn)業(yè)政策變化風(fēng)險(xiǎn)
11.5　行業(yè)投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場(chǎng)機(jī)遇
11.5.2　收購(gòu)企業(yè)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破
11.5.3　關(guān)注新能源汽車催生需求
11.5.4　國(guó)內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型
11.5.5　加強(qiáng)高校與科研院所合作
11.6　投資項(xiàng)目案例
11.6.1　項(xiàng)目基本概述
11.6.2　資金需求測(cè)算
11.6.3　經(jīng)濟(jì)效益分析
11.6.4　項(xiàng)目投資必要性
11.6.5　項(xiàng)目投資可行性

12.1　第三代半導(dǎo)體未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
12.1.1　產(chǎn)業(yè)成本趨勢(shì)
12.1.2　未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
12.1.3　應(yīng)用領(lǐng)域趨勢(shì)
12.2　第三代半導(dǎo)體未來(lái)發(fā)展前景
12.2.1　重要發(fā)展窗口期
12.2.2　產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景
12.2.3　產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇
12.2.4　產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)機(jī)遇
12.2.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
12.3　2022-2027年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測(cè)分析
附錄
附錄一：新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策
附錄二：關(guān)于促進(jìn)中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體等前沿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施

圖表1　第三代半導(dǎo)體特點(diǎn)
圖表2　第三代半導(dǎo)體主要材料
圖表3　不同半導(dǎo)體材料性能比較（一）
圖表4　不同半導(dǎo)體材料性能比較（二）
圖表5　碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)
圖表6　半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
圖表7　半導(dǎo)體材料頻率和功率特性對(duì)比
圖表8　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)演進(jìn)示意圖
圖表9　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表10　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表11　第三代半導(dǎo)體襯底制備流程
圖表12　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖譜
圖表13　第三代半導(dǎo)體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
圖表14　國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)
圖表15　固態(tài)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)（JEDEC）第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)
圖表16　國(guó)際部分汽車電子標(biāo)準(zhǔn)
圖表17　2018-2020年RF GaN HEMT和Si LDMOS平均價(jià)格
圖表18　1990-2020年國(guó)外SiC技術(shù)進(jìn)展
圖表19　國(guó)際上已經(jīng)商業(yè)化的SiC SBD的器件性能
圖表20　2020年國(guó)際企業(yè)新推出的SiC MOSFET產(chǎn)品
圖表21　國(guó)際已經(jīng)商業(yè)化的SiC晶體管器件性能
圖表22　2020年國(guó)際企業(yè)新推出的SiC功率模塊產(chǎn)品
圖表23　國(guó)際上已經(jīng)商業(yè)化的GaN電力電子器件性能
圖表24　國(guó)際上商業(yè)化的GaN射頻產(chǎn)品性能
圖表25　2020年國(guó)際企業(yè)推出的GaN射頻產(chǎn)品
圖表26　2020年國(guó)際主要第三代半導(dǎo)體企業(yè)布局情況（一）
圖表27　2020年國(guó)際主要第三代半導(dǎo)體企業(yè)布局情況（二）
圖表28　2020年主要第三代半導(dǎo)體企業(yè)合作動(dòng)態(tài)
圖表29　美國(guó)下一代功率電子技術(shù)國(guó)家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（一）
圖表30　美國(guó)下一代功率電子技術(shù)國(guó)家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（二）
圖表31　2020年美國(guó)設(shè)立的部分第三代半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)項(xiàng)目
圖表32　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（一）
圖表33　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（二）
圖表34　2020年歐盟和英國(guó)設(shè)立的部分第三代半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)項(xiàng)目
圖表35　歐洲LAST POWER產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目成員
圖表36　《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》中第三代半導(dǎo)體相關(guān)內(nèi)容
圖表37　2019-2021年國(guó)家層面第三代半導(dǎo)體支持政策匯總
圖表38　截至2021年地方層面第三代半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)政策匯總（一）
圖表39　截至2021年地方層面第三代半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)政策匯總（二）
圖表40　中國(guó)第三代半導(dǎo)體現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
圖表41　CASA聯(lián)盟第三代半導(dǎo)體團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
圖表42　2020年GDP最終核實(shí)數(shù)與初步核算數(shù)對(duì)比
圖表43　2021年GDP初步核算數(shù)據(jù)
圖表44　2016-2020年全部工業(yè)增加值及其增長(zhǎng)速度
圖表45　2020年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長(zhǎng)速度
圖表46　2020-2021年規(guī)模以上工業(yè)增加值同比增長(zhǎng)速度
圖表47　2016-2020年普通本?？?、中等職業(yè)教育及普通高中招生人數(shù)
圖表48　2019年專利申請(qǐng)、授權(quán)和有效專利情況
圖表49　2016-2020年研究與試驗(yàn)發(fā)展（R&D）經(jīng)費(fèi)支出及其增長(zhǎng)速度
圖表50　2020年專利申請(qǐng)、授權(quán)和有效專利情況
圖表51　2016-2021年全國(guó)R&D經(jīng)費(fèi)及投入強(qiáng)度情況
圖表52　2016-2021年全國(guó)基礎(chǔ)研究經(jīng)費(fèi)及占R&D經(jīng)費(fèi)比重情況
圖表53　國(guó)內(nèi)高校、研究所與企業(yè)的技術(shù)合作與轉(zhuǎn)化
圖表54　截至2021年底中國(guó)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)TOP10
圖表55　2002-2021年中國(guó)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域地區(qū)專利申請(qǐng)趨勢(shì)
圖表56　國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃2021年度第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目申報(bào)情況（一）
圖表57　國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃2021年度第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目申報(bào)情況（二）
圖表58　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)起單位
圖表59　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
圖表60　全球推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和技術(shù)發(fā)展的國(guó)家計(jì)劃
圖表61　《中國(guó)制造2025》第三代半導(dǎo)體相關(guān)發(fā)展目標(biāo)
圖表62　2019年中國(guó)主要企業(yè)SiC、GaN產(chǎn)能