2.1　2019-2021年全球功率半導(dǎo)體發(fā)展分析
2.1.1　發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素
2.1.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
2.1.3　細(xì)分市場(chǎng)占比
2.1.4　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
2.1.5　應(yīng)用領(lǐng)域狀況
2.1.6　廠商擴(kuò)產(chǎn)情況
2.2　2019-2021年中國(guó)功率半導(dǎo)體發(fā)展分析
2.2.1　行業(yè)發(fā)展特點(diǎn)
2.2.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
2.2.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
2.2.4　支持基金分布
2.2.5　企業(yè)研發(fā)狀況
2.2.6　下游應(yīng)用狀況
2.3　功率半導(dǎo)體行業(yè)項(xiàng)目投資案例
2.3.1　項(xiàng)目基本概況
2.3.2　項(xiàng)目投資計(jì)劃
2.3.3　項(xiàng)目投資必要性
2.3.4　項(xiàng)目投資可行性
2.4　功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展困境及建議
2.4.1　行業(yè)發(fā)展困境
2.4.2　行業(yè)發(fā)展建議

3.1　政策環(huán)境
3.1.1　行業(yè)監(jiān)管主體部門
3.1.2　行業(yè)相關(guān)政策匯總
3.1.3　產(chǎn)業(yè)目錄引導(dǎo)發(fā)展
3.1.4　集成電路稅收政策
3.1.5　新能源汽車政策推動(dòng)
3.2　經(jīng)濟(jì)環(huán)境
3.2.1　世界經(jīng)濟(jì)形勢(shì)分析
3.2.2　國(guó)內(nèi)宏觀經(jīng)濟(jì)概況
3.2.3　工業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行狀況
3.2.4　未來經(jīng)濟(jì)發(fā)展走勢(shì)
3.3　社會(huì)環(huán)境
3.3.1　居民收入水平
3.3.2　居民消費(fèi)結(jié)構(gòu)
3.3.3　社會(huì)消費(fèi)規(guī)模

4.1　2019-2021年全球IGBT行業(yè)發(fā)展分析
4.1.1　行業(yè)發(fā)展歷程
4.1.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
4.1.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
4.1.4　下游應(yīng)用占比
4.2　2019-2021年中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展分析
4.2.1　需求驅(qū)動(dòng)因素
4.2.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
4.2.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
4.2.4　企業(yè)技術(shù)布局
4.2.5　應(yīng)用領(lǐng)域分布
4.3　IGBT行業(yè)商業(yè)模式分析
4.3.1　無工廠芯片供應(yīng)商（Fabless）模式
4.3.2　代工廠（Foundry）模式
4.3.3　集成器件制造（IDM）模式
4.4　IGBT產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展分析
4.4.1　產(chǎn)業(yè)鏈條結(jié)構(gòu)
4.4.2　產(chǎn)業(yè)核心環(huán)節(jié)
4.4.3　上游領(lǐng)域分析
4.4.4　下游領(lǐng)域分析

5.1　IGBT技術(shù)進(jìn)展及挑戰(zhàn)分析
5.1.1　封裝技術(shù)分析
5.1.2　車用技術(shù)要求
5.1.3　技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
5.2　車規(guī)級(jí)IGBT芯片技術(shù)發(fā)展分析
5.2.1　大電流密度和低損耗技術(shù)
5.2.2　高壓/高溫技術(shù)
5.2.3　智能集成技術(shù)
5.3　車規(guī)級(jí)IGBT模塊封裝技術(shù)
5.3.1　芯片表面互連技術(shù)
5.3.2　貼片互連技術(shù)
5.3.3　端子引出技術(shù)
5.3.4　散熱設(shè)計(jì)技術(shù)
5.4　車規(guī)級(jí)IGBT的技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方案
5.4.1　主要技術(shù)挑戰(zhàn)
5.4.2　技術(shù)解決方案

6.1　2019-2021年IGBT行業(yè)上游材料發(fā)展分析——硅晶圓
6.1.1　營(yíng)收發(fā)展規(guī)模
6.1.2　行業(yè)產(chǎn)能狀況
6.1.3　產(chǎn)能分布趨勢(shì)
6.1.4　出貨面積情況
6.1.5　需求結(jié)構(gòu)分析
6.2　2019-2021年IGBT行業(yè)上游材料發(fā)展分析——光刻膠
6.2.1　行業(yè)基本概述
6.2.2　產(chǎn)品基本類型
6.2.3　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
6.2.4　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
6.2.5　細(xì)分市場(chǎng)格局
6.2.6　行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
6.3　2019-2021年IGBT行業(yè)上游設(shè)備發(fā)展分析——光刻機(jī)
6.3.1　技術(shù)迭代狀況
6.3.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
6.3.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
6.3.4　細(xì)分市場(chǎng)格局
6.3.5　產(chǎn)品結(jié)構(gòu)狀況
6.4　2019-2021年IGBT行業(yè)上游設(shè)備發(fā)展分析——刻蝕設(shè)備
6.4.1　刻蝕需求特點(diǎn)
6.4.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
6.4.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
6.4.4　國(guó)內(nèi)企業(yè)發(fā)展

7.1　2019-2021年新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展分析
7.1.1　汽車產(chǎn)銷狀況
7.1.2　充電樁保有量
7.1.3　應(yīng)用場(chǎng)景分析
7.1.4　成本構(gòu)成分析
7.1.5　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
7.1.6　市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)
7.2　2019-2021年新能源發(fā)電領(lǐng)域發(fā)展分析
7.2.1　應(yīng)用場(chǎng)景分析
7.2.2　應(yīng)用需求特點(diǎn)
7.2.3　風(fēng)電新增裝機(jī)量
7.2.4　光伏新增裝機(jī)量
7.2.5　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
7.2.6　市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)
7.3　2019-2021年工業(yè)控制領(lǐng)域發(fā)展分析
7.3.1　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
7.3.2　應(yīng)用場(chǎng)景分析
7.3.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
7.3.4　市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)
7.3.5　未來發(fā)展展望
7.4　2019-2021年變頻家電領(lǐng)域發(fā)展分析
7.4.1　應(yīng)用優(yōu)勢(shì)分析
7.4.2　變頻家電銷量
7.4.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
7.4.4　應(yīng)用前景展望
7.5　2019-2021年其他應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展分析
7.5.1　軌道交通領(lǐng)域
7.5.2　特高壓輸電領(lǐng)域

8.1　英飛凌（Infineon）
8.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.1.2　2018年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
8.1.3　2019年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
8.1.4　2020年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
8.2　安森美（ON Semiconductor）
8.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.2.2　2018年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
8.2.3　2019年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
8.2.4　2020年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
8.3　東芝（Toshiba Corporation）
8.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.3.2　2018年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
8.3.3　2019年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
8.3.4　2020年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
8.4　三菱電機(jī)
8.4.1　企業(yè)發(fā)展概況（Mitsubishi Electric）
8.4.2　2018年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
8.4.3　2019年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
8.4.4　2020年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

9.1　比亞迪股份有限公司
9.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
9.1.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
9.1.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
9.1.4　財(cái)務(wù)狀況分析
9.1.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
9.1.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.1.7　未來前景展望
9.2　吉林華微電子股份有限公司
9.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
9.2.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
9.2.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
9.2.4　財(cái)務(wù)狀況分析
9.2.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
9.2.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.2.7　未來前景展望
9.3　杭州士蘭微電子股份有限公司
9.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
9.3.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
9.3.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
9.3.4　財(cái)務(wù)狀況分析
9.3.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
9.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.3.7　未來前景展望
9.4　天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
9.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
9.4.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
9.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
9.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析
9.4.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
9.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.4.7　未來前景展望
9.5　株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司
9.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
9.5.2　2018年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
9.5.3　2019年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
9.5.4　2020年企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

10.1　IGBT行業(yè)投資機(jī)遇分析
10.1.1　契合政策發(fā)展機(jī)遇
10.1.2　國(guó)產(chǎn)替代發(fā)展機(jī)遇
10.1.3　能效標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定機(jī)遇
10.2　IGBT行業(yè)投資項(xiàng)目動(dòng)態(tài)
10.2.1　賽晶亞太I(xiàn)GBT項(xiàng)目落地
10.2.2　比亞迪IGBT項(xiàng)目啟動(dòng)建設(shè)
10.2.3　臺(tái)芯科技IGBT模塊項(xiàng)目
10.2.4　英飛凌無錫IGBT生產(chǎn)項(xiàng)目
10.3　IGBT行業(yè)投資壁壘分析
10.3.1　技術(shù)壁壘
10.3.2　品牌壁壘
10.3.3　資金壁壘
10.3.4　人才壁壘
10.4　IGBT行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)預(yù)警
10.4.1　產(chǎn)品研發(fā)風(fēng)險(xiǎn)
10.4.2　技術(shù)泄密風(fēng)險(xiǎn)
10.4.3　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇風(fēng)險(xiǎn)
10.4.4　宏觀經(jīng)濟(jì)波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)
10.4.5　利潤(rùn)水平變動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)

11.1　IGBT行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析
11.1.1　行業(yè)發(fā)展方向
11.1.2　企業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
11.2　 2022-2027年中國(guó)IGBT行業(yè)預(yù)測(cè)分析

圖表　功率半導(dǎo)體多種分類及特點(diǎn)
圖表　功率半導(dǎo)體器件性能對(duì)比
圖表　功率半導(dǎo)體應(yīng)用范圍
圖表　IGBT的結(jié)構(gòu)圖示
圖表　IGBT的基本分類（根據(jù)電壓等級(jí)劃分）
圖表　IGBT的產(chǎn)品類別
圖表　IGBT單管、模塊和IPM技術(shù)特性比較
圖表　功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)因素
圖表　2014-2021年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)
圖表　2019年全球功率半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)規(guī)模占比
圖表　2019年全球功率器件主要廠商市場(chǎng)份額
圖表　2019年全球功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域市場(chǎng)占比
圖表　功率半導(dǎo)體廠商擴(kuò)產(chǎn)情況
圖表　中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展特點(diǎn)
圖表　2014-2021年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)
圖表　2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體主要廠商營(yíng)收
圖表　2019年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)
圖表　功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域期刊文獻(xiàn)基金分布
圖表　2017-2020年中國(guó)功率半導(dǎo)體主要廠商研發(fā)支出
圖表　2017-2019年國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商研發(fā)人員數(shù)量
圖表　2019年中國(guó)半導(dǎo)體下游應(yīng)用占比
圖表　IGBT行業(yè)相關(guān)政策匯總
圖表　2016-2020年國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值及其增長(zhǎng)速度
圖表　2016-2020年三次產(chǎn)業(yè)增加值占國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值比重
圖表　2021年1季度GDP初步核算數(shù)據(jù)
圖表　2016-2021年GDP同比增長(zhǎng)速度
圖表　2016-2020年全部工業(yè)增加值及其增速
圖表　2020年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長(zhǎng)速度
圖表　2020-2021年規(guī)模以上工業(yè)增加值同比增速
圖表　2021年規(guī)模以上工業(yè)生產(chǎn)主要數(shù)據(jù)
圖表　2020年全國(guó)居民人均可支配收入平均數(shù)與中位數(shù)
圖表　2020年全國(guó)居民收入主要數(shù)據(jù)
圖表　2020-2021年中國(guó)居民人均可支配收入平均數(shù)與中位數(shù)
圖表　2021年全國(guó)居民收入主要數(shù)據(jù)
圖表　2020年全國(guó)居民人均消費(fèi)支出及構(gòu)成
圖表　2020年全國(guó)居民支出主要數(shù)據(jù)
圖表　2021年中國(guó)居民人均消費(fèi)支出及構(gòu)成
圖表　2021年全國(guó)居民支出主要數(shù)據(jù)
圖表　2019-2020年社會(huì)消費(fèi)品零售總額各月同比增速
圖表　2020年社會(huì)消費(fèi)品零售總額主要數(shù)據(jù)
圖表　2020-2021年社會(huì)消費(fèi)品零售總額同比增長(zhǎng)速度
圖表　2021年社會(huì)消費(fèi)品零售總額主要數(shù)據(jù)
圖表　IGBT工藝技術(shù)發(fā)展史
圖表　2016-2019年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模
圖表　2019年全球IGBT分立器件主要廠商市場(chǎng)份額
圖表　2019年全球IGBT模塊主要廠商市場(chǎng)份額
圖表　2019年全球IPM主要廠商市場(chǎng)份額
圖表　2019年全球IGBT下游應(yīng)用市場(chǎng)占比
圖表　2016-2019年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模
圖表　2019年中國(guó)IGBT市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
圖表　2019年中國(guó)IGBT下游市場(chǎng)占比
圖表　IGBT行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)
圖表　溝槽柵結(jié)構(gòu)圖
圖表　RET/RDT IGBT元胞結(jié)構(gòu)示意圖
圖表　分離溝槽柵橫截面示意圖
圖表　CSTBT元胞結(jié)構(gòu)示意圖
圖表　超級(jí)結(jié)場(chǎng)截止IGBT元胞結(jié)構(gòu)示意圖
圖表　逆導(dǎo)IGBT元胞結(jié)構(gòu)示意圖
圖表　場(chǎng)限環(huán)與場(chǎng)板結(jié)合技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖
圖表　含SIPOS 層的終端結(jié)構(gòu)示意圖
圖表　集成溫度和電流傳感器的IGBT芯片示意圖
圖表　集成門極電阻阻值調(diào)整方案
圖表　半橋模塊內(nèi)部集成RC緩沖芯片的等效電路圖
圖表　2016-2020年全球硅晶圓行業(yè)營(yíng)收規(guī)模
圖表　2016-2022年全球硅晶圓產(chǎn)能及預(yù)測(cè)
圖表　2016-2020年中國(guó)大陸硅晶圓產(chǎn)能及預(yù)測(cè)
圖表　2016-2022年全球硅晶圓產(chǎn)能區(qū)域分布狀況
圖表　2016-2020年全球硅晶圓出貨面積
圖表　8英寸硅晶圓需求結(jié)構(gòu)
圖表　半導(dǎo)體集成電路制作中光刻技術(shù)的應(yīng)用