2.1　全球半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r
2.1.1　市場(chǎng)規(guī)模分析
2.1.2　區(qū)域分布狀況
2.1.3　細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
2.1.4　市場(chǎng)競爭狀況
2.1.5　產(chǎn)業(yè)重心轉(zhuǎn)移
2.1.6　市場(chǎng)需求分析
2.2　主要國家和地區(qū)半導(dǎo)體材料發(fā)展動(dòng)態(tài)
2.2.1　美國
2.2.2　日本
2.2.3　歐洲
2.2.4　韓國
2.2.5　中國臺(tái)灣

3.1　經(jīng)濟(jì)環(huán)境
3.1.1　宏觀經(jīng)濟(jì)概況
3.1.2　工業(yè)運(yùn)行情況
3.1.3　固定資產(chǎn)投資
3.1.4　宏觀經(jīng)濟(jì)展望
3.2　政策環(huán)境
3.2.1　集成電路相關(guān)政策
3.2.2　行業(yè)支持政策動(dòng)態(tài)
3.2.3　地方產(chǎn)業(yè)扶持政策
3.2.4　產(chǎn)業(yè)投資基金支持
3.3　技術(shù)環(huán)境
3.3.1　半導(dǎo)體關(guān)鍵材料技術(shù)突破
3.3.2　第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)進(jìn)展
3.3.3　半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)合作發(fā)展
3.4　產(chǎn)業(yè)環(huán)境
3.4.1　全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模
3.4.2　中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模
3.4.3　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分布情況
3.4.4　半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)

4.1　中國半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行狀況
4.1.1　行業(yè)發(fā)展特性
4.1.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
4.1.3　細(xì)分市場(chǎng)狀況
4.1.4　產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)
4.1.5　應(yīng)用環(huán)節(jié)分析
4.1.6　項(xiàng)目投建動(dòng)態(tài)
4.2　半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化替代分析
4.2.1　國產(chǎn)化替代的必要性
4.2.2　半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化率
4.2.3　國產(chǎn)化替代突破發(fā)展
4.2.4　國產(chǎn)化替代發(fā)展前景
4.3　中國半導(dǎo)體材料市場(chǎng)競爭結(jié)構(gòu)分析
4.3.1　現(xiàn)有企業(yè)間競爭
4.3.2　潛在進(jìn)入者分析
4.3.3　替代產(chǎn)品威脅
4.3.4　供應(yīng)商議價(jià)能力
4.3.5　需求客戶議價(jià)能力
4.4　半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對(duì)策
4.4.1　行業(yè)發(fā)展滯后
4.4.2　產(chǎn)品同質(zhì)化問題
4.4.3　供應(yīng)鏈不完善
4.4.4　行業(yè)發(fā)展建議
4.4.5　行業(yè)發(fā)展思路
4.5　半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司運(yùn)行狀況分析
4.5.1　半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司規(guī)模
4.5.2　半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司分布
4.6　半導(dǎo)體材料行業(yè)財(cái)務(wù)狀況分析
4.6.1　經(jīng)營狀況分析
4.6.2　盈利能力分析
4.6.3　營運(yùn)能力分析
4.6.4　成長能力分析
4.6.5　現(xiàn)金流量分析

5.1　半導(dǎo)體硅材料行業(yè)發(fā)展概況
5.1.1　發(fā)展現(xiàn)狀分析
5.1.2　行業(yè)利好形勢(shì)
5.1.3　行業(yè)發(fā)展建議
5.2　多晶硅料
5.2.1　主流生產(chǎn)工藝
5.2.2　產(chǎn)量規(guī)模分析
5.2.3　市場(chǎng)競爭格局
5.2.4　區(qū)域分布情況
5.2.5　多晶硅進(jìn)口量
5.2.6　市場(chǎng)進(jìn)入門檻
5.2.7　行業(yè)發(fā)展形勢(shì)
5.3　硅片
5.3.1　硅片基本簡介
5.3.2　硅片生產(chǎn)工藝
5.3.3　市場(chǎng)營收規(guī)模
5.3.4　全球競爭格局
5.3.5　企業(yè)布局情況
5.3.6　供需現(xiàn)狀分析
5.3.7　市場(chǎng)投資狀況
5.3.8　市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)
5.3.9　供需結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)
5.4　靶材
5.4.1　靶材基本簡介
5.4.2　靶材生產(chǎn)工藝
5.4.3　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
5.4.4　全球市場(chǎng)格局
5.4.5　國內(nèi)市場(chǎng)格局
5.4.6　市場(chǎng)發(fā)展前景
5.4.7　技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
5.5　光刻膠
5.5.1　光刻膠基本簡介
5.5.2　光刻膠工藝流程
5.5.3　行業(yè)運(yùn)行狀況
5.5.4　市場(chǎng)份額分析
5.5.5　市場(chǎng)競爭格局
5.5.6　光刻膠國產(chǎn)化
5.5.7　行業(yè)技術(shù)壁壘

6.1　第二代半導(dǎo)體材料概述
6.1.1　第二代半導(dǎo)體材料應(yīng)用分析
6.1.2　第二代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)需求
6.1.3　第二代半導(dǎo)體材料發(fā)展前景
6.2　砷化鎵材料發(fā)展?fàn)顩r
6.2.1　砷化鎵材料概述
6.2.2　砷化鎵物理特性
6.2.3　砷化鎵制備工藝
6.2.4　砷化鎵產(chǎn)值規(guī)模
6.2.5　砷化鎵競爭格局
6.2.6　砷化鎵行業(yè)利潤
6.2.7　砷化鎵射頻市場(chǎng)
6.2.8　砷化鎵應(yīng)用狀況
6.2.9　砷化鎵規(guī)模預(yù)測(cè)
6.3　磷化銦材料行業(yè)分析
6.3.1　磷化銦材料概述
6.3.2　磷化銦市場(chǎng)綜述
6.3.3　磷化銦市場(chǎng)規(guī)模
6.3.4　磷化銦市場(chǎng)競爭
6.3.5　磷化銦應(yīng)用領(lǐng)域
6.3.6　磷化銦光子集成電路

7.1　中國第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)運(yùn)行情況
7.1.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì)
7.1.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
7.1.3　區(qū)域分布格局
7.1.4　行業(yè)產(chǎn)線建設(shè)
7.1.5　企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目
7.2　III族氮化物第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.2.1　材料基本介紹
7.2.2　全球發(fā)展?fàn)顩r
7.2.3　國內(nèi)發(fā)展?fàn)顩r
7.2.4　發(fā)展重點(diǎn)及建議
7.3　碳化硅材料行業(yè)分析
7.3.1　行業(yè)發(fā)展歷程
7.3.2　行業(yè)發(fā)展優(yōu)勢(shì)
7.3.3　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
7.3.4　SiC產(chǎn)線建設(shè)
7.3.5　項(xiàng)目投資動(dòng)態(tài)
7.3.6　區(qū)域分布情況
7.3.7　全球競爭格局
7.3.8　行業(yè)發(fā)展前景
7.4　氮化鎵材料行業(yè)分析
7.4.1　氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)
7.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
7.4.3　投資市場(chǎng)動(dòng)態(tài)
7.4.4　市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇
7.4.5　材料發(fā)展前景
7.5　中國第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)投資分析
7.5.1　產(chǎn)業(yè)投資價(jià)值
7.5.2　項(xiàng)目投建動(dòng)態(tài)
7.5.3　投資時(shí)機(jī)分析
7.5.4　投資風(fēng)險(xiǎn)分析
7.6　第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展前景展望
7.6.1　產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展趨勢(shì)
7.6.2　未來應(yīng)用趨勢(shì)分析
7.6.3　材料體系更加豐富

8.1　集成電路行業(yè)
8.1.1　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
8.1.2　市場(chǎng)貿(mào)易狀況
8.1.3　技術(shù)進(jìn)展情況
8.1.4　產(chǎn)業(yè)投資狀況
8.1.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題
8.1.6　產(chǎn)業(yè)發(fā)展對(duì)策
8.1.7　行業(yè)發(fā)展目標(biāo)
8.2　半導(dǎo)體照明行業(yè)
8.2.1　行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
8.2.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
8.2.3　應(yīng)用市場(chǎng)分布
8.2.4　應(yīng)用發(fā)展趨勢(shì)
8.2.5　照明技術(shù)突破
8.2.6　行業(yè)發(fā)展機(jī)遇
8.2.7　照明發(fā)展方向
8.3　太陽能光伏產(chǎn)業(yè)
8.3.1　產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策
8.3.2　全球發(fā)展?fàn)顩r
8.3.3　產(chǎn)業(yè)裝機(jī)規(guī)模
8.3.4　產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局
8.3.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
8.3.6　產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
8.4　半導(dǎo)體分立器件行業(yè)
8.4.1　行業(yè)發(fā)展規(guī)模
8.4.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
8.4.3　市場(chǎng)供需狀況
8.4.4　市場(chǎng)發(fā)展格局
8.4.5　行業(yè)經(jīng)營情況
8.4.6　行業(yè)集中程度
8.4.7　上游市場(chǎng)狀況
8.4.8　下游應(yīng)用分析

9.1　天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
9.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
9.1.2　經(jīng)營效益分析
9.1.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
9.1.4　財(cái)務(wù)狀況分析
9.1.5　核心競爭力分析
9.1.6　未來前景展望
9.2　有研新材料股份有限公司
9.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
9.2.2　經(jīng)營效益分析
9.2.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
9.2.4　財(cái)務(wù)狀況分析
9.2.5　核心競爭力分析
9.2.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.2.7　未來前景展望
9.3　北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司
9.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
9.3.2　經(jīng)營效益分析
9.3.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
9.3.4　財(cái)務(wù)狀況分析
9.3.5　核心競爭力分析
9.3.6　未來前景展望
9.4　寧波康強(qiáng)電子股份有限公司
9.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
9.4.2　經(jīng)營效益分析
9.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
9.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析
9.4.5　核心競爭力分析
9.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.4.7　未來前景展望
9.5　上海新陽半導(dǎo)體材料股份有限公司
9.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
9.5.2　經(jīng)營效益分析
9.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
9.5.4　財(cái)務(wù)狀況分析
9.5.5　核心競爭力分析
9.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
9.5.7　未來前景展望

10.1　東尼電子年產(chǎn)12萬片碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目
10.1.1　項(xiàng)目投資價(jià)值
10.1.2　項(xiàng)目的可行性
10.1.3　項(xiàng)目的必要性
10.1.4　項(xiàng)目資金使用
10.1.5　項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益
10.2　新疆大全年產(chǎn)1000噸高純半導(dǎo)體材料項(xiàng)目
10.2.1　項(xiàng)目基本概況
10.2.2　募集資金使用
10.2.3　項(xiàng)目的必要性
10.2.4　項(xiàng)目的可行性
10.2.5　項(xiàng)目環(huán)境影響
10.3　立昂微年產(chǎn)180萬片集成電路用12英寸硅片項(xiàng)目
10.3.1　項(xiàng)目基本概況
10.3.2　項(xiàng)目實(shí)施背景
10.3.3　項(xiàng)目的可行性
10.3.4　資金需求測(cè)算
10.3.5　項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益

11.1　A股及新三板上市公司在半導(dǎo)體材料行業(yè)投資動(dòng)態(tài)分析
11.1.1　投資項(xiàng)目綜述
11.1.2　投資區(qū)域分布
11.1.3　投資模式分析
11.1.4　典型投資案例
11.2　中國半導(dǎo)體材料行業(yè)前景展望
11.2.1　行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
11.2.2　市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)
11.2.3　行業(yè)應(yīng)用前景
11.3　 中國半導(dǎo)體材料行業(yè)預(yù)測(cè)分析

圖表1　半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展地位
圖表2　半導(dǎo)體材料的演進(jìn)
圖表3　國內(nèi)外半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈
圖表4　全球半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模統(tǒng)計(jì)及增長情況
圖表5　2021年全球主要國家/地區(qū)半導(dǎo)體材料區(qū)域分布預(yù)測(cè)
圖表6　2020年全球半導(dǎo)體材料行業(yè)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分布情況
圖表7　2020年全球半導(dǎo)體廠商銷售額TOP10
圖表8　國內(nèi)生產(chǎn)總值及其增長速度
圖表9　三次產(chǎn)業(yè)增加值占國內(nèi)生產(chǎn)總值比重
圖表10　2019年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長速度
圖表11　全部工業(yè)增加值及其增長速度
圖表12　2020年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長速度
圖表13　2019年固定資產(chǎn)投資（不含農(nóng)戶）同比增速
圖表14　2019年固定資產(chǎn)投資（不含農(nóng)戶）主要數(shù)據(jù)
圖表15　2020年固定資產(chǎn)投資（不含農(nóng)戶）同比增速
圖表16　2020年固定資產(chǎn)投資（不含農(nóng)戶）主要數(shù)據(jù)
圖表17　固定資產(chǎn)投資（不含農(nóng)戶）同比增速
圖表18　全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額情況
圖表19　中國大陸半導(dǎo)體銷售收入及增速
圖表20　國內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模
圖表21　半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于晶圓制造與封測(cè)環(huán)節(jié)
圖表22　2020年半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司基本情況
圖表23　半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司名單
圖表24　半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司資產(chǎn)規(guī)模及結(jié)構(gòu)
圖表25　半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司上市板分布情況
圖表26　半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司營業(yè)收入及增長率
圖表27　半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司凈利潤及增長率
圖表28　半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司毛利率與凈利率
圖表29　半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司營運(yùn)能力指標(biāo)
圖表30　半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司營運(yùn)能力指標(biāo)
圖表31　半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司成長能力指標(biāo)
圖表32　半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司成長能力指標(biāo)
圖表33　半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司銷售商品收到的現(xiàn)金占比
圖表34　多晶硅料主流生產(chǎn)工藝
圖表35　多晶硅料生產(chǎn)工藝發(fā)展趨勢(shì)
圖表36　我國多晶硅產(chǎn)量情況
圖表37　中國多晶硅CR5市場(chǎng)占有率
圖表38　我國多晶硅進(jìn)口情況
圖表39　SOI智能剝離方案生產(chǎn)原理
圖表40　硅片分為擋空片與正片
圖表41　硅片尺寸發(fā)展歷程
圖表42　硅片加工工藝示意圖
圖表43　多晶硅片加工工藝示意圖
圖表44　單晶硅片之制備方法示意圖
圖表45　硅片生產(chǎn)中四大核心技術(shù)是影響硅片質(zhì)量的關(guān)鍵
圖表46　全球硅片銷售額
圖表47　2020年全球半導(dǎo)體硅片行業(yè)競爭格局
圖表48　濺射靶材工作原理示意圖
圖表49　濺射靶材產(chǎn)品分類
圖表50　各種濺射靶材性能要求
圖表51　高純?yōu)R射靶材產(chǎn)業(yè)鏈
圖表52　鋁靶生產(chǎn)工藝流程
圖表53　靶材制備工藝
圖表54　高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)核心技術(shù)
圖表55　全球半導(dǎo)體靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模分析
圖表56　中國半導(dǎo)體靶材行業(yè)規(guī)模分析
圖表57　2019年全球半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)格局
圖表58　2019年中國半導(dǎo)體靶材產(chǎn)業(yè)主要生產(chǎn)企業(yè)
圖表59　正膠和負(fù)膠及其特點(diǎn)
圖表60　按應(yīng)用領(lǐng)域光刻膠分類
圖表61　集成電路光刻和刻蝕工藝流程（以多晶硅刻蝕及離子注入為例）
圖表62　全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模
圖表63　2019年全球光刻膠應(yīng)用市場(chǎng)份額
圖表64　2019年g/i線光刻膠企業(yè)市場(chǎng)份額分析
圖表65　半導(dǎo)體光刻膠國產(chǎn)化情況
圖表66　光刻膠組成成分及功能
圖表67　光刻膠主要技術(shù)參數(shù)
圖表68　砷化鎵微波功率半導(dǎo)體各應(yīng)用領(lǐng)域占比