4.DRAM

（1）全球市場(chǎng)規(guī)模

DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，DRAM的特征是讀寫速度快、延遲低，但掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，常用于計(jì)算系統(tǒng)的運(yùn)行內(nèi)存。DRAM市場(chǎng)空間巨大，為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器第一大產(chǎn)品。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告》顯示，受到存儲(chǔ)芯片整體減產(chǎn)的影響，2023年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到505.3億美元，同比下降36.12%。中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預(yù)測(cè)，由于2024年全球存儲(chǔ)渠道行情整體向上，市場(chǎng)需求大幅提升，DRAM市場(chǎng)規(guī)模將增至780億美元。

數(shù)據(jù)來(lái)源：CFM閃存、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

（2）競(jìng)爭(zhēng)格局

目前，DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)份額高度集中，主要被三星、SK海力士和美光三者壟斷，2023年三家企業(yè)市場(chǎng)份額分別為41.4%、31.7%和22.9%，競(jìng)爭(zhēng)格局穩(wěn)定。南亞科技和華邦電子占比分別為1.9%和0.9%。國(guó)內(nèi)DRAM廠商主要有兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯股份、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、紫光國(guó)微、福建晉華等企業(yè)。

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5.NAND FLASH

（1）全球市場(chǎng)規(guī)模

NANDFLASH存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2017-2027全球及中國(guó)NAND閃存控制器行業(yè)深度研究報(bào)告》顯示，雖然NANDFlash平均價(jià)格在四季度明顯改善，帶動(dòng)各原廠四季度收入增長(zhǎng)，但2023年全球NANDFLASH市場(chǎng)規(guī)模仍然呈現(xiàn)397.6億美元，同比下降33.88%。2024年P(guān)C廠商、智能手機(jī)市場(chǎng)將迎來(lái)復(fù)蘇，帶動(dòng)全球NANDFLASH市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)，中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預(yù)測(cè)，2024年全球NAND FLASH市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)656.1億美元。

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（2）競(jìng)爭(zhēng)格局

NAND Flash全球市場(chǎng)高度集中，2023年前三企業(yè)分別為三星、SK海力士、鎧俠，市場(chǎng)份額合計(jì)達(dá)69.1%，市場(chǎng)份額分別為32.7%、18.4%、18.0%。西部數(shù)據(jù)和美光市場(chǎng)份額分別為14.9%、10.8%。

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