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2022年全球IGBT市場規(guī)模及競爭格局預(yù)測分析（圖）

來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布日期：2022-05-17 16:37

半導(dǎo)體

中商情報(bào)網(wǎng)訊：新型功率半導(dǎo)體器件IGBT是電力電子行業(yè)的“CPU”，IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

市場規(guī)模

近年來，全球IGBT市場規(guī)模一直變成增長趨勢，2020年市場規(guī)模約為66.5億美元，中國市場約占全球市場的 40%。預(yù)計(jì)2022年將進(jìn)一步增長至80.8億美元。

數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

競爭格局

目前IGBT行業(yè)國產(chǎn)率較低，行業(yè)整體集中度較高，2020年前三企業(yè)占整體市場達(dá)51%。其中英飛凌占比最多，達(dá)27%。三菱排名第二，占比14%。安森美占比10%，位居第三。

數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

更多資料請參考中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《中國半導(dǎo)體行業(yè)市場前景及投資機(jī)會研究報(bào)告》，同時中商產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)情報(bào)、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、十四五規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商引資等服務(wù)。