中商情報(bào)網(wǎng)訊:IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的「CPU」。
中國(guó)已經(jīng)成為全球最大的IGBT市場(chǎng),近年來IGBT產(chǎn)量及需求量持續(xù)增長(zhǎng)。2021年我國(guó)IGBT行業(yè)產(chǎn)量將達(dá)到0.26億只,需求量約為1.32億只。預(yù)計(jì)2022年我國(guó)IGBT行業(yè)產(chǎn)量將達(dá)到0.41億只,需求量約為1.56億只。
數(shù)據(jù)來源:Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
IGBT下游應(yīng)用領(lǐng)域中,新能源汽車、工業(yè)控制是最主要的應(yīng)用領(lǐng)域。新能源汽車市場(chǎng)占比最大達(dá)31%,消費(fèi)電子領(lǐng)域市場(chǎng)占比27%,工控領(lǐng)域是IGBT需求的重要支撐,市場(chǎng)占比20%,新能源發(fā)電占比11%。
數(shù)據(jù)來源:Trendforce、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
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