中商情報網(wǎng)訊:IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的「CPU」。
中國已經(jīng)成為全球最大的IGBT市場,近年來IGBT產(chǎn)量及需求量持續(xù)增長。2021年我國IGBT行業(yè)產(chǎn)量將達到0.26億只,需求量約為1.32億只。預計2022年我國IGBT行業(yè)產(chǎn)量將達到0.41億只,需求量約為1.56億只。
數(shù)據(jù)來源:Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
IGBT下游應用領(lǐng)域中,新能源汽車、工業(yè)控制是最主要的應用領(lǐng)域。新能源汽車市場占比最大達31%,消費電子領(lǐng)域市場占比27%,工控領(lǐng)域是IGBT需求的重要支撐,市場占比20%,新能源發(fā)電占比11%。
數(shù)據(jù)來源:Trendforce、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
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