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2021年中國碳化硅器件行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上中下游市場分析（附產(chǎn)業(yè)鏈全景圖）

來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布日期：2022-03-10 15:29

碳化硅器件

三、產(chǎn)業(yè)鏈中游

1.碳化硅器件特性

硅（Si）基功率器件技術(shù)經(jīng)過60年的發(fā)展，已經(jīng)愈來愈接近其物理理論極限，難以滿足現(xiàn)階段應(yīng)用環(huán)境對系統(tǒng)提出的高溫，高頻，高效和高功率密度等要求。碳化硅（SiC）材料作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，有著Si材料所不具備的優(yōu)異特性。其高擊穿場強，高電子遷移率和高熱導(dǎo)率等性能正在逐步替代Si基功率器件的高端市場應(yīng)用。碳化硅應(yīng)用場景根據(jù)產(chǎn)品類型可分為射頻器件和功率器件。

資料來源：網(wǎng)絡(luò)公開資料

2.碳化硅射頻器件

射頻器件是在無線通信領(lǐng)域負責信號轉(zhuǎn)換的部件，如功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器、低噪聲放大器等。碳化硅基氮化鎵射頻器件具有熱導(dǎo)率高、高頻率、高功率等優(yōu)點，相較于傳統(tǒng)的硅基LDMOS器件，其可以更好地適應(yīng)5G通信基站、雷達應(yīng)用等領(lǐng)域低能耗、高效率要求。

隨著全球5G通訊技術(shù)的發(fā)展和推廣，5G基站建設(shè)將為射頻器件帶來新的增長動力。5G通訊高頻、高速、高功率的特點對功率放大器的高頻、高速以及功率性能有更高要求。以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時具備了碳化硅的高導(dǎo)熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢，突破了砷化鎵和硅基LDMOS器件的固有缺陷，能夠滿足5G通訊對高頻性能和高功率處理能力的要求，碳化硅基氮化鎵射頻器件已逐步成為5G功率放大器尤其是宏基站功率放大器的主流技術(shù)路線。

據(jù)Yole Development預(yù)測，2025年全球射頻器件市場將超過250億美元，其中射頻功率放大器市場規(guī)模將從2018年的60億美元增長到2025年的104億美元，而氮化鎵射頻器件在功率放大器中的滲透率將持續(xù)提高。隨著5G市場對碳化硅基氮化鎵器件需求的增長，半絕緣型碳化硅晶片的需求量也將大幅增長。