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第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展加速：碳化硅晶片下游應(yīng)用市場預(yù)測分析（圖）

來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布日期：2021-12-09 13:41

碳化硅半導(dǎo)體

4.軌道交通

牽引變流器是機車大功率交流傳動系統(tǒng)的核心裝備，將碳化硅器件應(yīng)用于軌道交通牽引變流器，能極大發(fā)揮碳化硅器件高溫、高頻和低損耗特性，提高牽引變流器裝置效率，符合軌道交通大容量、輕量化和節(jié)能型牽引變流裝置的應(yīng)用需求，提升系統(tǒng)的整體效能。

預(yù)計2030年全球軌道交通中硅基IGBT器件占比達70%，混合碳化硅器件占比達17%，全碳化硅器件占比達5%，碳化硅分立器件占比達8%。并預(yù)計于2050年，全碳化硅器件快速發(fā)展，占比將增至40%。

數(shù)據(jù)來源：CASA、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

5.射頻器件

5G 通訊高頻、高速、高功率的特點對功率放大器的高頻、高速以及功率性能有更高要求。以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時具備了碳化硅的高導(dǎo)熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢，突破了砷化鎵和硅基LDMOS 器件的固有缺陷，能夠滿足5G 通訊對高頻性能和高功率處理能力的要求，碳化硅基氮化鎵射頻器件已逐步成為5G 功率放大器尤其宏基站功率放大器的主流技術(shù)路線。

數(shù)據(jù)來源：Analog Dialogue

隨著全球 5G 通訊技術(shù)的發(fā)展和推廣，5G 基站建設(shè)將為射頻器件帶來新的增長動力。據(jù)Yole Development 預(yù)測，2025 年全球射頻器件市場將超過250 億美元，其中射頻功率放大器市場規(guī)模將從2018 年的60 億美元增長到2025 年的104 億美元，而氮化鎵射頻器件在功率放大器中的滲透率將持續(xù)提高。隨著 5G市場對碳化硅基氮化鎵器件需求的增長，半絕緣型碳化硅晶片的需求量也將大幅增長。

數(shù)據(jù)來源：Yole Development

更多資料請參考中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《中國碳化硅行業(yè)市場前景及投資機會研究報告》，同時中商產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)情報、產(chǎn)業(yè)研究報告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、十四五規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商引資等服務(wù)。