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2021年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上中下游市場(chǎng)分析（附產(chǎn)業(yè)鏈全景圖）

來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布日期：2021-03-02 17:46

半導(dǎo)體

中商情報(bào)網(wǎng)訊：半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游中的重要組成部分，在集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)制造中起到關(guān)鍵性的作用。目前全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈正向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，中國(guó)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)的步伐已逐漸加快。伴隨著國(guó)內(nèi)晶圓廠的投產(chǎn)，將產(chǎn)生更多半導(dǎo)體材料的需求，市場(chǎng)需求空間已被打開(kāi)。

一、產(chǎn)業(yè)鏈

資料來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

二、上游分析

半導(dǎo)體材料是產(chǎn)業(yè)鏈上游環(huán)節(jié)中非常重要的一環(huán)，主要分為基體材料、晶圓制造材料、封裝材料和關(guān)鍵元器件材料。半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)過(guò)近六十年的發(fā)展，半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了三次明顯的換代和發(fā)展。相比于第一、二代半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體基體材料具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率，在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱雽?dǎo)體材料。

1.碳化硅

近年來(lái)，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料在禁帶寬度、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、飽和電子漂移速率、熱導(dǎo)率以及抗輻射等關(guān)鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步滿足了現(xiàn)代工業(yè)對(duì)高功率、高電壓、高頻率的需求。以碳化硅為襯底制成的功率器件相比硅基功率器件具有優(yōu)越的電氣性能，具體如下：

資料來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

2.氮化鎵

在第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈制造以及應(yīng)用環(huán)節(jié)上，SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)等行業(yè)。與硅元器件相比，GaN具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn)，是超高頻器件的極佳選擇，適用于5G通信、微波射頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。