（3）AI芯片

AI芯片是智能汽車時(shí)代實(shí)現(xiàn)域控制的核心。隨著芯片需要處理傳感器傳來(lái)的大量汽車內(nèi)外部環(huán)境信息，而且也要處理大量圖片、視頻等非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)，面向控制指令運(yùn)算的MCU不能滿足需求。AI處理器作為智能時(shí)代的協(xié)處理器，成為智能汽車時(shí)代的核心。

數(shù)據(jù)顯示，2019年我國(guó)汽車AI芯片市場(chǎng)規(guī)模約為9億美元。隨著各級(jí)別自動(dòng)駕駛技術(shù)的不斷推進(jìn)、應(yīng)用，汽車AI芯片市場(chǎng)規(guī)模也將不斷擴(kuò)大，預(yù)計(jì)2021年將超20億美元，到2025年超90億美元。

數(shù)據(jù)來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

四、汽車電子芯片行業(yè)前景

未來(lái)，我國(guó)汽車電子芯片行業(yè)前景廣闊：

從政策層面來(lái)看，近年來(lái)，國(guó)家各部門相繼推出了一系列優(yōu)惠政策、鼓勵(lì)和支持集成電路行業(yè)發(fā)展。國(guó)家相關(guān)政策的陸續(xù)出臺(tái)從戰(zhàn)略、資金、專利保護(hù)、稅收優(yōu)惠等多方面推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)健康、穩(wěn)定和有序的發(fā)展。

2020年9月，國(guó)家發(fā)展改革委、科技部、工業(yè)和信息化部、財(cái)政部等四部門聯(lián)合印發(fā)了《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長(zhǎng)點(diǎn)增長(zhǎng)極的指導(dǎo)意見》，提出加快新材料產(chǎn)業(yè)強(qiáng)弱項(xiàng)。圍繞保障大飛機(jī)、微電子制造、深海采礦等重點(diǎn)領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定，加快在光刻膠、高純靶材、高溫合金、高性能纖維材料、高強(qiáng)高導(dǎo)耐熱材料、耐腐蝕材料、大尺寸硅片、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。

半導(dǎo)體行業(yè)作為國(guó)民經(jīng)濟(jì)支柱性行業(yè)之一，是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，其發(fā)展程度是衡量一個(gè)國(guó)家科技發(fā)展水平的核心指標(biāo)之一，屬于國(guó)家高度重視和鼓勵(lì)發(fā)展的行業(yè)，未來(lái)將繼續(xù)得到政策的支撐、扶持，這為汽車電子芯片行業(yè)提供了良好的發(fā)展環(huán)境。

從市場(chǎng)層面來(lái)看，下游市場(chǎng)帶來(lái)強(qiáng)勁需求。新能源汽車的推廣勢(shì)在必行，未來(lái)也將繼續(xù)大力發(fā)展。與龐大的機(jī)動(dòng)車保有量相比，新能源汽車占比仍有很大的發(fā)展空間，隨著新購(gòu)、更換等需求推動(dòng)，新能源汽車的保有量也將進(jìn)一步提升，這將為IGBT等功率半導(dǎo)體帶來(lái)需求。

智能汽車也將推動(dòng)汽車電子芯片行業(yè)發(fā)展。2020年2月，國(guó)家發(fā)改委會(huì)同11個(gè)國(guó)家部委聯(lián)合發(fā)布了《智能汽車創(chuàng)新發(fā)展戰(zhàn)略》。該戰(zhàn)略指明了2025年實(shí)現(xiàn)有條件智能汽車規(guī)?；a(chǎn)，2035年中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)智能汽車體系全面建成的愿景，指出發(fā)展核心技術(shù)、完善基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、完善相關(guān)法律法規(guī)體系等智能汽車發(fā)展的主要任務(wù)，并宣布了加強(qiáng)組織實(shí)施、完善扶持政策等保障舉措。未來(lái)，隨著智能汽車規(guī)?；a(chǎn)的不斷推進(jìn)，相關(guān)汽車芯片需求也將攀升，行業(yè)前景明朗。

從技術(shù)層面來(lái)看，半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)過(guò)近六十年的發(fā)展，目前已經(jīng)發(fā)展形成了三代半導(dǎo)體材料。第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料，其中最為重要的就是SiC和GaN。和傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比，更寬的禁帶寬度允許材料在更高的溫度、更強(qiáng)的電壓與更快的開關(guān)頻率下運(yùn)行。SiC具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，使得其器件適用于高頻高溫的應(yīng)用場(chǎng)景，相較于硅器件，可以顯著降低開關(guān)損耗。因此，SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能汽車、新能源汽車等行業(yè)。

更多資料請(qǐng)參考中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《中國(guó)汽車電子芯片行業(yè)市場(chǎng)前景及投資機(jī)會(huì)研究報(bào)告》,同時(shí)中商產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)情報(bào)、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、十四五規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商引資等服務(wù)。