中商情報網(wǎng)訊：近年來，碳化硅晶片作為襯底材料的應用逐步成熟并進入產(chǎn)業(yè)化階段，以碳化硅晶片為襯底，通常使用化學氣相沉積（CVD）方法，在晶片上淀積一層單晶形成外延片。其中，在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅外延片，可進一步制成功率器件，應用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域；在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）外延片，可進一步制成微波射頻器件，應用于5G通訊、雷達等領(lǐng)域。

以碳化硅為代表的第三代半導體材料在禁帶寬度、擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導率以及抗輻射等關(guān)鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢，進一步滿足了現(xiàn)代工業(yè)對高功率、高電壓、高頻率的需求。以碳化硅為襯底制成的功率器件相比硅基功率器件具有優(yōu)越的電氣性能，具體如下：

資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

正是由于碳化硅器件具備的上述優(yōu)越性能，可以滿足電力電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻及抗輻射等惡劣工作條件的新要求，從而成為半導體材料領(lǐng)域最具前景的材料之一。

碳化硅功率器件定位于1KW-500KW之間，工作頻率在10KHz-100MHz之間的場景，特別適用于對于能量效率和空間尺寸要求較高的應用，如電動汽車充電機、充電樁、光伏逆變器、高鐵、智能電網(wǎng)、工業(yè)級電源等領(lǐng)域，可逐漸取代硅基MOSFET和IGBT。

資料來源：國泰君安、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

據(jù)統(tǒng)計，2019年全球主流傳統(tǒng)車企的新能源汽車滲透率平均已接近2%，相比2017年提升1個百分點。為了達到各整車企業(yè)新能源汽車戰(zhàn)略，即2025年新能源汽車平均滲透率達到10%-15%左右，

數(shù)據(jù)顯示，全球新能源乘用車銷量由2015年的41.9萬輛增長至2018年的184.1萬輛，年均復合增長率為64%。全球新能源汽車滲透率達到2.1%，累計銷量已突破550萬輛。根據(jù)數(shù)據(jù)，2019年全球新能源乘用車銷量為221萬輛，滲透率上升至2.5%。隨著全球各國政策驅(qū)動、行業(yè)技術(shù)進步、配套設(shè)施改善以及市場認可度提高，新能源汽車銷量將持續(xù)保持良好的發(fā)展態(tài)勢。預計到2025年，全球新能源乘用車銷量將達到1150萬輛，相較于2019年年均復合增長率為32%。

數(shù)據(jù)來源：GGII、EVSales、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

更多資料請參考中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《中國第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)市場前景及投資機會研究報告》，同時中商產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)情報、產(chǎn)業(yè)研究報告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、十四五規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商引資等服務。