第三代半導(dǎo)體發(fā)展大勢所趨 2020年第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈全景圖深度分析(附概念股)
來源:中商產(chǎn)業(yè)研究院 發(fā)布日期:2020-09-15 18:34
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一、第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈之碳化硅

近年來,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料在禁帶寬度、擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導(dǎo)率以及抗輻射等關(guān)鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢,進一步滿足了現(xiàn)代工業(yè)對高功率、高電壓、高頻率的需求。以碳化硅為襯底制成的功率器件相比硅基功率器件具有優(yōu)越的電氣性能,具體如下:

資料來源:中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

正是由于碳化硅器件具備的上述優(yōu)越性能,可以滿足電力電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻及抗輻射等惡劣工作條件的新要求,從而成為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域最具前景的材料之一。

近年來碳化硅晶片作為襯底材料的應(yīng)用逐步成熟并進入產(chǎn)業(yè)化階段,以碳化硅晶片為襯底,通常使用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法,在晶片上淀積一層單晶形成外延片。其中,在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅外延片,可進一步制成功率器件,應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域;在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延片,可進一步制成微波射頻器件,應(yīng)用于5G通訊、雷達等領(lǐng)域。

碳化硅晶片經(jīng)外延生長后主要用于制造功率器件、射頻器件等分立器件??蓮V泛應(yīng)用于新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域,在我國“新基建”的各主要領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。

(一)功率器件

碳化硅功率器件被廣泛應(yīng)用于新能源汽車中的主驅(qū)逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、充電系統(tǒng)中的車載充電機和充電樁等,光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域。受益新能源汽車的放量,碳化硅功率器件市場將快速增長。根據(jù)Yole數(shù)據(jù),2018年和2024年碳化硅功率器件市場規(guī)模分別約4億和50億美元,復(fù)合增速約51%,按照該復(fù)合增速,2027年碳化硅功率器件市場規(guī)模約172億美元。

碳化硅材料市場規(guī)模預(yù)測

資料來源:Cree官網(wǎng)、光大證券

功率器件是電力電子行業(yè)的重要基礎(chǔ)元器件之一,廣泛應(yīng)用于電力設(shè)備的電能轉(zhuǎn)化和電路控制等領(lǐng)域。作為用電裝備和系統(tǒng)中的核心,功率器件的作用是實現(xiàn)對電能的處理、轉(zhuǎn)換和控制,管理著全球超過50%的電能資源,廣泛用于智能電網(wǎng)、新能源汽車、軌道交通、可再生能源開發(fā)、工業(yè)電機、數(shù)據(jù)中心、家用電器、移動電子設(shè)備等國家經(jīng)濟與國民生活的方方面面,是工業(yè)體系中不可或缺的核心半導(dǎo)體產(chǎn)品。碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求,在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢。

資料來源:Yole Developmen

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