中商情報(bào)網(wǎng)訊：9月14日，A股放量回升，第三代半導(dǎo)體板塊大漲8.1%，成為兩市焦點(diǎn)。第三代半導(dǎo)體強(qiáng)勢(shì)反彈，有基金經(jīng)理認(rèn)為，隨著5G手機(jī)出貨量的持續(xù)增加，5G驅(qū)動(dòng)的換機(jī)潮將到來(lái)，有望促進(jìn)相關(guān)科技公司的業(yè)績(jī)持續(xù)釋放，當(dāng)前應(yīng)遵循“存優(yōu)去劣”原則布局5G設(shè)備、傳輸網(wǎng)、云計(jì)算等科技核心資產(chǎn)。其中，半導(dǎo)體板塊作為科技產(chǎn)業(yè)的底層支撐，未來(lái)有望多點(diǎn)開(kāi)花。

半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)過(guò)近六十年的發(fā)展，半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了三次明顯的換代和發(fā)展。第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵、銻化銦；第三代半導(dǎo)體材料主要分為碳化硅SiC和氮化鎵GaN，相比于第一、二代半導(dǎo)體，其具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率，在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱雽?dǎo)體材料。

資料來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游中的重要組成部分，在集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)制造中起到關(guān)鍵性的作用。第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等為代表。目前比較成熟的有碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等。因此本文主要研究碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）兩大第三代半導(dǎo)體襯底材料。

其中，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)主要有襯底片、外延片和器件環(huán)節(jié)。從事襯底片的國(guó)內(nèi)廠商主要有露笑科技、三安光電、天科合達(dá)、山東天岳等；從事碳化硅外延生長(zhǎng)的廠商主要有瀚天天成和東莞天域等；從事碳化硅功率器件的廠商較多，包括華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、泰科天潤(rùn)、綠能芯創(chuàng)、上海詹芯等。

氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈與碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)無(wú)較大差別，同樣分為襯底、外延片和器件環(huán)節(jié)。盡管碳化硅被更多地作為襯底材料，但國(guó)內(nèi)仍有從事氮化鎵單晶生長(zhǎng)的企業(yè)，主要有蘇州納維、東莞中鎵、上海鎵特和芯元基等；從事氮化鎵外延片的國(guó)內(nèi)廠商主要有三安光電、賽微電子、海陸重工、晶湛半導(dǎo)體、江蘇能華、英諾賽科等；從事氮化鎵器件的廠商主要有三安光電、聞泰科技、賽微電子、聚燦光電、乾照光電等。

在第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈制造以及應(yīng)用環(huán)節(jié)上，SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能電網(wǎng)、新能源汽車等行業(yè)。與硅元器件相比，GaN具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn)，是超高頻器件的極佳選擇，適用于5G通信、微波射頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。

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