中商情報(bào)網(wǎng)訊：日前，據(jù)媒體消息，比亞迪半導(dǎo)體將考慮是否在科創(chuàng)板或創(chuàng)業(yè)板上市。根據(jù)資料顯示，比亞迪半導(dǎo)體是比亞迪旗下的全資子公司，也是目前國(guó)內(nèi)最大的車(chē)規(guī)級(jí)IGBT廠商。據(jù)悉，比亞迪半導(dǎo)體此前已經(jīng)完成A+輪戰(zhàn)投引入，共計(jì)獲得近8億元資金。而此次引入的戰(zhàn)略投資者包括小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金、聯(lián)想長(zhǎng)江科技產(chǎn)業(yè)基金、碧桂園創(chuàng)新投資等在內(nèi)的30家。

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q(chēng)電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，IGBT是功率半導(dǎo)體的一種。

半導(dǎo)體是電子產(chǎn)品的核心，信息產(chǎn)業(yè)的基石。從我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，有上游支撐產(chǎn)業(yè)、中游制造產(chǎn)業(yè)以及下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)構(gòu)成，其中上游支撐產(chǎn)業(yè)主要有半導(dǎo)體材料和設(shè)備構(gòu)成，中游制造產(chǎn)業(yè)核心為集成電路的制造，下游為半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。

來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院

半導(dǎo)體行業(yè)前景向好，將迎來(lái)發(fā)展新機(jī)遇：

（1）國(guó)家政策大力扶持為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造良好的發(fā)展環(huán)境

半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展程度是國(guó)家科技實(shí)力的重要體現(xiàn)，是信息化社會(huì)的支柱產(chǎn)業(yè)之一，更對(duì)國(guó)家安全有著舉足輕重的戰(zhàn)略意義。發(fā)展我國(guó)半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)，是我國(guó)成為世界制造強(qiáng)國(guó)的必由之路。

近年來(lái)，國(guó)家各部門(mén)相繼推出了一系列優(yōu)惠政策、鼓勵(lì)和支持集成電路行業(yè)發(fā)展。2006年2月，國(guó)務(wù)院發(fā)布《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年）》，明確提出將核心電子器件、高端通用芯片作為16個(gè)重大專(zhuān)項(xiàng)之一。2014年6月，工信部發(fā)布《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，提出“到2020年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷(xiāo)售收入年均增速超過(guò)20%，企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力大幅增強(qiáng)?！?014年10月，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金成立，帶動(dòng)中央和各省投入資金總規(guī)模超過(guò)4,000億人民幣。2016年，《“十三五”國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》等多項(xiàng)政策的出臺(tái)為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展提供了政策保障，進(jìn)一步明確了發(fā)展方向。國(guó)家相關(guān)政策的陸續(xù)出臺(tái)從戰(zhàn)略、資金、專(zhuān)利保護(hù)、稅收優(yōu)惠等多方面推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)健康、穩(wěn)定和有序的發(fā)展。

（2）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重心轉(zhuǎn)移帶來(lái)國(guó)產(chǎn)替代巨大機(jī)遇

半導(dǎo)體行業(yè)目前呈現(xiàn)專(zhuān)業(yè)分工深度細(xì)化、細(xì)分領(lǐng)域高度集中的特點(diǎn)。從歷史進(jìn)程看，全球半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)完成兩次的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：第一次是20世紀(jì)70年代從美國(guó)轉(zhuǎn)向日本，第二次是20世紀(jì)80年代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向韓國(guó)與中國(guó)臺(tái)灣。目前全球半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移。產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移是市場(chǎng)需求、國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策和資本驅(qū)動(dòng)的綜合結(jié)果。歷史上兩次成功的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移都帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向改變、分工方式縱化、資源重新配置，并給予了追趕者切入市場(chǎng)的機(jī)會(huì)，進(jìn)而推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的革新與發(fā)展。

目前，中國(guó)擁有全球最大且增速最快的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)。2018年，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)6532億元，比上年增長(zhǎng)20.7%。巨大的下游市場(chǎng)配合積極的國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策與活躍的社會(huì)資本，正在全方位、多角度地支持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。我國(guó)光伏、顯示面板、LED等高新技術(shù)行業(yè)經(jīng)過(guò)多年已達(dá)到領(lǐng)先水平，也大力拉動(dòng)了上游的功率半導(dǎo)體、顯示驅(qū)動(dòng)芯片、LED驅(qū)動(dòng)芯片等集成電路的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)技術(shù)的不斷突破，加之我國(guó)在物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源汽車(chē)等下游市場(chǎng)走在世界前列，有望在更多細(xì)分市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。

（3）第三代半導(dǎo)體材料帶來(lái)發(fā)展新機(jī)遇

半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)過(guò)近六十年的發(fā)展，目前已經(jīng)發(fā)展形成了三代半導(dǎo)體材料，第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵、銻化銦；第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料，其中最為重要的就是SiC和GaN。和傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比，更寬的禁帶寬度允許材料在更高的溫度、更強(qiáng)的電壓與更快的開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行。SiC具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，使得其器件適用于高頻高溫的應(yīng)用場(chǎng)景，相較于硅器件，可以顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。因此，SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)等行業(yè)。與硅元器件相比，GaN具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn)，是超高頻器件的極佳選擇，適用于5G通信、微波射頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。

未來(lái)，隨著第三代半導(dǎo)體材料的成本因生產(chǎn)技術(shù)的不斷提升而下降，其應(yīng)用市場(chǎng)也將迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，給半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。

（4）新興科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展孕育新的市場(chǎng)機(jī)會(huì)

隨著物聯(lián)網(wǎng)、5G通信、人工智能等新技術(shù)的不斷成熟，消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車(chē)電子等半導(dǎo)體主要下游制造行業(yè)的產(chǎn)業(yè)升級(jí)進(jìn)程加快。下游市場(chǎng)的革新升級(jí)強(qiáng)勁帶動(dòng)了半導(dǎo)體企業(yè)的規(guī)模增長(zhǎng)。如在汽車(chē)電子領(lǐng)域，相比于傳統(tǒng)汽車(chē)，新能源汽車(chē)需要用到更多傳感器與制動(dòng)集成電路，新能源汽車(chē)單車(chē)半導(dǎo)體價(jià)值將達(dá)到傳統(tǒng)汽車(chē)的兩倍，同時(shí)功率半導(dǎo)體用量比例也從20%提升到近50%；在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，根據(jù)預(yù)測(cè)，全球聯(lián)網(wǎng)設(shè)備將從2014年的37.5億臺(tái)上升到2020年的250億臺(tái)，形成超過(guò)3000億美元的市場(chǎng)規(guī)模，其中整體成本集中在MCU、通信芯片和傳感芯片三項(xiàng)，總共占比高達(dá)60%-70%。新興科技產(chǎn)業(yè)將成為行業(yè)新的市場(chǎng)推動(dòng)力，并且隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)技術(shù)研發(fā)實(shí)力的不斷增強(qiáng)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)將會(huì)出現(xiàn)發(fā)展的新契機(jī)。